SSD 等应用提升下，Nand Flash 需求正快速成长，各家内存厂无不积极扩产，以扩展自身在 NAND Flash 的市占，半导体巨擘英特尔在 2015 年 10 月同样看好 NAND Flash 发展，宣布与大连市政府合作，将原本生产处理器芯片的厂房转型生产 3D-NAND Flash 芯片，而现在厂房改置完毕，在 25 日正式宣告投产。
据中国官方媒体中新社旗下网站中国新闻网报导，英特尔投资 55 亿美元转型建造的大连 NAND Flash 厂房已完工，并于 25 日正式投产。报导指称，位于中国辽宁省大连市金普新区的该厂区，为全球首座以 12 吋（300mm）晶圆生产 NAND Flash 的制造中心，目前有逾千名英特尔员工与数千名设备项目建设正加紧工作，以期早日量产。
报导同时指出，为实现高阶人才在地化，约 300 多位中国工程师以前往美国、新加坡等国家培训，未来以承接先前外籍专家在该厂相关技术与管理的职务。
据先前调研机构集邦科技旗下内存 DRAMeXchange 预估，英特尔大连厂转型后，初期 3D-NAND Flash 月产能约 3~4 万片。
英特尔大连 12 吋厂于 2010 年完工，原先规划以生产 65 奈米制程 CPU，但在绩效不佳外，英特尔于去年 10 月 20 日与大连市政府签署协定，投资 55 亿美元，转型生产 3D-NAND Flash，以期搭上中国消费电子产品蓬勃、内存需求大量成长的列车。
而想搭上 3D NAND Flash 这波需求列车的也不少，继三星之后，各家 3D-NAND Flash 产品也陆续量产、拓张产能，英特尔除了大连厂，与美光共同投资的新加坡 IM Flash 厂也在今年 1 月投入 3D-NAND Flash 的生产。
此外，15 日东芝在日本四日市的半导体新厂 Fab 2 举行开幕仪式，厂房同样运用于 2D Nand Flah 到 3D-NAND Flah 制程的转换，估计到今年第四季 3D NAND 月产能约 4 万片。SK 海力士于韩国清州市所兴建的 M14 厂在 2015 年年中落成后，宣告再加码 15.5 兆韩圜（约 4,500 亿新台币），规划于十年内投资三座半导体厂房，暗示加大对 3D-NAND Flash 的生产。
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（首图来源：Flickr/Thomas Cloer CC BY 2.0）
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