三星电子成功研发 3D 晶圆封装技术“X-Cube”，宣称此种垂直堆叠的封装方法，可用于 7 奈米制程，能提高晶圆代工能力，要借此和业界领袖台积电一较高下。
三星官网 13 日新闻稿称，三星 3D IC 封装技术 X-Cube，采用硅穿孔科技（through-silicon Via，TSV），能让速度和能源效益大跃进，以协助解决次世代应用程序严苛的表现需求，如 5G、人工智能（AI）、高效能运算、行动和穿戴装置等。
三星晶圆代工市场策略的资深副总 Moonsoo Kang 说：“三星的新 3D 整合技术，确保 TSV 在先进的极紫外光（EUV）制程节点时，也能稳定联通”。有了 X-Cube，IC 设计师打造符合自身需求的客制化解决方案时，将有更多弹性。X-Cube 的测试芯片，以 7 奈米制程为基础，使用 TSV 技术在逻辑晶粒（logic die）堆叠 SRAM，可释放更多空间、塞入更多内存。
有了 3D 整合方案，晶粒间的讯号传输路径将大为缩短，可加快数据传送速度和能源效益。三星宣称，X-Cube 可用于 7 奈米和 5 奈米制程。
韩国时报 13 日报导，封装是晶圆生产的重要环节，过去几年来，三星强化封装技术，超薄封装能缩短积体电路的讯号传输路径，加快传递速度、提升能源效益。三星将在 16~18 日的 Hot Chips 峰会，公布更多 X-Cube 的细节。
（本文由 MoneyDJ新闻 授权转载；图片来源：三星）
