Thomson Reuters 13 日报导，为了因应智能手机/平板电脑用内存需求强劲，全球第 2 大 NAND 型闪存 (Flash Memory) 厂商东芝 (Toshiba) 计划对旗下 NAND Flash 生产据点“四日市工厂”第5厂房“Fab 5”进行细微化投资、扩增产能。据报导，东芝将投下 400 亿日圆更换“Fab 5”现有设备，借此扩增“Fab 5”产能。据产经新闻指出，上述细微化设备预计将在今年夏天前导入生产。
Thomson Reuters 并指出，关于“Fab 5”的扩建工程（第2期工程）部分，厂房建筑预计将在今夏完工，惟东芝将依据明年度（2014 年 4 月起的会计年度）以后的内存需求来决定生产设备的导入时间及规模。
东芝于去年 8 月 23 日举行了动工仪式，正式着手兴建 NAND Flash 新厂。该座 NAND Flash 新厂为东芝位于三重县四日市第三座 12 吋 NAND Flash 厂“Fab 5”的扩建工程，预计将在 2014 年度内（2015年3月底前）开始量产采用最先端细微化技术的高性能 NAND Flash 产品、且之后并计划于 2015 年度生产采用 3D 结构的 NAND Flash。
据日经指出，该座 NAND Flash 新厂房会将制程技术自目前的 19 奈米提升至 16-17 奈米，且导入量产后，东芝 12 吋晶圆月产能将可较目前的 45 万片提升约 20%。
