随着近年来 NAND Flash 市场供不应求，价格不断高涨的情况下，使得投资者的眼光眼开始关注到 NAND Flash 制造厂的身上。2018 年 1 月份，美系的 NAND Flash 厂商英特尔及美光两家公司宣布，未来再开发出第 3 代 96 层堆叠的 3D NAMD Flash 后将和平分手。至于两家公司的分手原因，过去一直没有明确透露，现在才有消息指出，是因为双方对未来 NAND Flash 的技术发展态度不相同所导致，美光要转换到到 CTP 技术阵营，而英特尔则是将坚持 Floating Gate 技术阵营。
据了解，在 NAND Flash 的生产技术上，2D NAND Flash 厂商使用浮闸（Floating Gate）技术的还很多。不过转向 D NAND Flash 的时代，从三星 V-NAND Flash 就开始普遍转向了电荷储存（Charge trap，CTP）式技术，只有美光、英特尔还在坚持使用浮闸技术。
事实上，这两种技术各有优缺点。例如三星早前在 V-NAND Flash 宣传中就提到了，CTP 技术可靠性更高、P/E 耗能更低、写入性能更好等，但是这种技术也有成本高等问题。不过早前美光认为 CTP 技术可靠性并不好，如果 6 个月后不使用，NAND Flash 就有可能自己会删除数据。过去，三星早期的 3D NAND Flash 遭遇过掉速的问题，其原因也大概也与此相关。
不过，到了 3D NAND Flash 时代，NAND Flash 转向 CTP 技术已经是大势所趋，使得向来固执的美光也不再坚持继续浮闸技术，这也就是美光计划在 96 层堆叠 3D NAND Flash 开发出来之后，技术路线会转变的原因，但是，其合作伙伴英特尔没有要这么进行，因此也就成为了双方分手的主要原因。
只是，未来美光、英特尔的分手还有至少 1 年时间才能完成，而且在 3D NAND Flash 之后，双方还会在 3D XPoint Flash 上继续合作。美光甚至在之前的财报会议上提到，未来将会为 3D XPoint Flash 建立单独的工厂。至于，英特尔之前也将把于中国大连的晶圆厂改建为 NAND Flash 厂，未来主要生产 3D NAND Flash 的情况下，两家公司合作生产 3D XPoint Flash，未来也有可能在这里生产。因此未来两家公司的合作，预料还是会继续发展下去。
(首图来源:美光官网)
