日经新闻 30 日报导，韩国三星电子计划砸下 10 兆韩圜（约 1 兆日圆）在中国西安工厂设置第 2 条 NAND 型闪存（Flash Memory）产线，目标在 2019 年将西安工厂月产能提高至现行的 2 倍。该条新产线预计于今年内动工，完工投产后，合并第一条产线产能计算，西安工厂月产能将倍增至 22 万片（以硅晶圆换算）。三星西安工厂主要生产最先端的 3D NAND Flash 产品。
报导指出，在竞争对手东芝（Toshiba）将心力花费在半导体事业的出售案时，三星期望借由将中国培育成可和韩国媲美的最先端产品量产据点，借此稳固全球龙头位置。韩国证券分析师指出，“在东芝摇摇欲坠的当下，正是展开攻势的良机。”三星在 DRAM、液晶面板领域，也是在日本厂商投资停滞时、趁势加码投资，提高市占率。
根据 IHS Technology 的资料显示，2016 年三星 NAND Flash 全球市占率（以金额换算）达 35.2%，稳居首位，东芝以 19.3% 居次、东芝合作伙伴 Western Digital（WD）以 15.5% 位居第 3。
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