根据韩国媒体《Etnews》的报导，韩国三星电子计划新建一座大型半导体工厂。因为有鉴于面积比上一个半导体增加了 50% 以上。因此，该座工厂将采用“综合半导体工厂”的形式来营运，也就是在其中同时生产 DRAM、NAND Flash 和其他产品，并有望引入最新的制程技术。而该座被称之为“P3”工厂的兴建计划，预计于 2020 年 9 月在韩国平泽市动工，2021 年完成启用。
报导指出，根据资料显示，目前韩国三星电子在平泽市已有命名为“P1”和“P2”的半导体工厂。其中“P2”还是于 2019 年才完工的新产线。未来如果“P3”工厂顺利加入生产行列，则三星在平泽市就有 3 座大型的半导体工厂。
报导进一步指出，根据韩国半导体产业人士透漏，三星电子预计在平泽市兴建的“P3”工厂，目前已经进入了兴建的预备阶段，预计正式开工的时间将会落在 2020 年 9 月。而因为目前三星最大的“P2”半导体工厂，厂区长度约 400 米，而准备兴建的新“P3”工厂，其厂区长度更将达到 700 米。在厂区面积几乎大出一倍的情况下，“P3”工厂将以综合性型工厂的方式运作，也就是包括生产图像感测器、DRAM、NAND Flash 和 SoC 处理器等半导体产品，并有机会导入最新的制程技术。
根据先前的媒体报导，三星近期正努力的提升产能与技术，期望在目前领先的内存市场拉大与竞争者的差距之外，在内存的半导体产品上飞，也希望达到带头的水准。尤其是在晶圆代工的市场上，期望在 2030 年前能超越当前的龙头台积电。
(首图来源:三星)
