DRAM 产业经过多年价格战厮杀，早已形成寡占局面，各家大厂也持续严控产出，标准内存在供货吃紧下，合约价持续形成上扬走势，在传统电子业旺季效应、加上全球笔电需求大增下，调研机构甚至预估，第四季合约价有望直涨近三成，创下两年来新高纪录。
调研机构集邦科技旗下 DRAMeXchange 在前几个月前预估，DRAM 合约价第四季将再涨逾一成，但 DRAMeXchange 分析最新市况，在全球笔电需求出乎意料大增的情况下，预估第四季的合约价季涨幅将可能直逼三成，高于先前预估，且有望创下两年来的新高点。
从 DRAM 现货颗粒报价来看，如 DDR3/4 4Gb 价格分别来到 2.1/2.0 美元，较上月同期已各上涨 19% 与 15%，显见市场供不应求的态势持续扩大。加以第三季智能手机新机齐发，三星、SK 海力士、美光三大厂商全力备战，而苹果 iPhone 等旗舰新机内存容量在今年有明显扩增，传统出货旺季供货已见吃紧，现在笔电需求大增，未来第四季将迎来更高一波涨幅。
第三季北美地区笔电需求增温，惠普与戴尔出货皆成长 8%，已看出标准型内存供应紧俏的状况。调研机构集邦科技旗下内存储存事业处 DRAMeXchange 现在更进一步指出，笔电尤其商务新机配置 8GB 内存的新机迅速攀升。
需求面看涨但供给面却是应接不暇，以目前产出而言，Mobile DRAM 产出比重已扩大至整体产出 40% 以上，服务器内存比重突破 20%，标准型内存产出排挤至不到 20% 下，标准型内存抢货大战已提前开打。
DRAMeXchange 研究协理吴雅婷预估，第三季 PC-OEM 客户已开始对标准型内存追价与追量，带动第四季还有一波更高的涨幅。不仅如此，第四季标准型内存需求大增，超过 DRAM 原厂的预估，使得供需失衡更加雪上加霜。
目前九月 PC-OEM 厂已积极议定第四季度的价格。吴雅婷表示，第四季 DRAM 合约价大战提前开打，主因在于标准型内存产能转进行动式与服务器用内存的速度过快，加上部分厂商 20/21 奈米良率提升不如预期，恐难满足原先预估的需求，因此引起 PC-OEM 的恐慌而加量抢货，并亟欲提高现有库存水位来稳定自身的 DRAM 需求。
此波的抢货作战产生的连锁效应，使得服务器用内存也呈现涨价，集邦科技预估，服务器内存自第三季以来有约 10% 的上涨，行动式内存则在 NAND 产品同时缺货下，第四季 eMCP 产品至少有 10～15% 的涨幅。
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