韩联社、东亚日报日文版报导，韩国半导体大厂 SK 海力士（SK Hynix Inc.）于 4 日宣布，已成功研发出较现行 3D 架构 NAND 型闪存（Flash Memory）进一步进化的“4D NAND Flash”产品。SK 海力士表示，现行大多数厂商都在 3D NAND 上采用 CTF（Charge Trap Flash，电荷储存式闪存），而 SK 海力士则是在 CTF 架构上追加“PUC（Peri Under Cell）”技术，研发出全球首款堆叠 96 层的 512Gb 3bit/cell（Triple Level Cel，TLC）4D NAND Flash 产品。
SK 海力士指出，和现行 72 层 512Gb 3D NAND Flash 相比，4D NAND Flash 的芯片尺寸缩小 3 成，每片晶圆的生产性增至 1.5 倍，读速、写速分别提升 30%、25%。
SK 海力士干部表示，“将在今年内量产 4D NAND Flash，且计划利用最近完工的清州工厂 M15 产线进行正式量产”。
SK 海力士计划在今年内发表采用 4D NAND Flash、容量为 1TB 的消费性固态硬盘（SSD）产品。
截至台北时间 5 日上午 10 点 00 分为止，SK 海力士大跌 3.03% 至 70,400 韩圜；SK 海力士上周五（2 日）股价飙涨 6.30%，收 72,600 韩圜，创约一个月来（10 月 1 日以来）新高水准。
（本文由 MoneyDJ新闻 授权转载；首图来源：SK 海力士）
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