内存的超级多头循环走了两年，近来空方势力再起，高呼好日子将尽，本周开始出炉的亚洲内存厂财报，将可印证空方说法是否属实。
路透社 25 日报导，近来 NAND Flash 和 DRAM 双双出现警讯。以 NAND Flash 来说，3D NAND 组装成本低于平面 NAND，今年生产大增、供过于求，迫使小型业者砍价保卫市占。和 2017 年高峰期相比，NAND Flash 均价将近对半砍，只剩全盛期的一半左右。
DRAMeXchange 主管 Alan Chen 表示，NAND 均价下滑之快，远超过成本削减的速度，厂商毛利不断恶化。他预测今年 NAND 价格将持续走低。野村也估计，今年 NAND 供给会成长 40~50%，需求则放缓，价格会下跌近 20%。
DRAM 方面，尽管今年 DRAM 价格上涨 20%，但是北京指控主要生产商操控价格，中国又全力扶植自家三大 DRAM 厂──长江存储（Yangtze Memory Technology）、合肥长鑫（Innotron Memory）、福建晋华（Fujian Jinhua），中国厂即将进入量产阶段，DRAM 恐会受压。
HI Investment & Securities 分析师 Song Myung-sup 指出，明年上半为止，中国厂商 DRAM 产量仍少，但是随着良率提高、产出拉升，估计明年下半会开始影响半导体市场。Gartner 首席分析师 Andrew Norwood 预测，2020、2021 年 DRAM 厂的营收将会骤降。
相关忧虑让内存大厂受挫。台北时间 25 日早盘，SK 海力士下跌 1.67%、报 82,200 韩圜；23 日暴跌 7.05%。25日早盘，三星电子下跌 0.11%、报 46,100 韩圜；23 日挫跌 2%。
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