根据韩国科技媒体《DDaily》的报导指出，韩国半导体业界人士透露，相较 DRAM 市场，来自中国的 NAND Flash 闪存制造商威胁已近在眼前。虽然， DRAM 也必须持续保持注意力，但是目前中国的 DRAM 企业要想对韩国的相关企业造成影响还很难，尤其是在近期美国政府出重手制裁中国的 DRAM 制造商福建晋华之后。相对来说，NAND Flash 闪存要影响韩国企业，目前可能只剩一年多的时间就看得到。
报导指出，布局中国市场的韩国半导体设备企业相关人士指出，先前设备业界对中国内存市场的期待很大，但是最近这样的期待感已经消失。对此，该人士解释指出，DRAM 不仅很难讨论其量产时期，最近还因为美国的制裁，因此暂时排除了 DRAM 对韩国企业的影响。
但是在 NAND Flash 闪存，一方面长江存储已经加快脚步，预计 2019 年第 4 季将量产 64 层堆叠的 3D NAND Flash 闪存。另一方面，64 层堆叠的 3D NAND Flash 闪存虽然开始量产，但预计其占比不会很大，因为长江存储主要目标，是在于快速进入 128 层堆叠 3D NAND Flash 闪存的量产。而且，预计到 2019 年第 3 季，量产的确切时间就将会出现轮廓。
整体看来，随着中国的 DRAM 产业受贸易战的影响，未来发展变得难以预测，另一方面紫光集团正在加速 NAND Flash 闪存的开发，日前紫光集团才宣布投入 240 亿美元，预计在成都建造新的基地，这也意味着紫光集团进入NAND Flash 闪存市场已经到达最后的关键时刻。此外，紫光集团目前没有出现诉讼问题，NAND Flash 闪存也和军事敏感问题沾不上边，技术难度也相对较小，发展的阻力不多，因此前进速度也会加快，使得为些韩国业者的时间差距也逐渐缩小中。
（首图来源：三星官网）
