全球第二大 NAND 型闪存（Flash Memory）厂商铠侠（Kioxia，旧称东芝内存）采用 3D 架构的 NAND Flash“BiCS FLASH”有新一代产品现身，堆叠 112 层、记忆容量将较现行 96 层产品提高 2 成。
铠侠 1 月 31 日宣布，已研发出 3D NAND Flash“BiCS FLASH”的第 5 代产品，采用堆叠 112 层制程技术，且已完成试作、确认基本动作。
该款堆叠 112 层的 3D NAND 试作品为 512Gb（64GB），采用 3bit/cell（TLC：Triple Level Cel）技术的产品，预计将在 2020 年第一季进行样品出货，除将用来抢攻需求持续扩大的资料中心用 SSD、商用 SSD、PC 用 SSD 及智能手机等市场外，也将用来抢攻 5G、人工智能（AI）、自动驾驶等新市场需求。
和铠侠目前已量产的 96 层 3D NAND 产品相比，112 层 3D NAND 每单位面积的记忆容量提高约 20%，且每片晶圆所能生产的记忆容量增加，每 bit 成本也下滑。
铠侠指出，该款 112 层 3D NAND 产品为该公司和合作伙伴美国 Western Digital（WD）所携手研发完成，今后将利用双方共同营运的四日市工厂以及北上工厂进行生产，且今后也计划推出采用堆叠 112 层制程技术的 1Tb（128GB）TLC 产品以及 1.33Tb 的 4bit/cell （QLC：Quadruple-Level Cell）产品。
关于上述 112 层 3D NAND 的量产时间，WD 宣布，“预定将在 2020 年下半年”。
铠侠竞争对手韩国三星电子已于 2019 年 6 月开始量产堆叠 100 层以上的 3D NAND 产品。
东芝于 2018 年 6 月将铠侠独立出去，并卖给由美国贝恩资本主导的“日美韩联盟”。东芝目前仍持有铠侠 40.2% 股权。
根据 Yahoo Finance 的报价显示，截至台湾时间 3 日 13 点 41 分为止，东芝上扬 0.14% 至 3,505 日圆。
日经新闻 1 月 29 日报导，据关系人士指出，铠侠 IPO（首次公开发行）上市时间预估将从原先规划的 2019 年度内（2020 年 3 月底前）推延至 2020 年 10 月以后。
铠侠于 2019 年 11 月 13 日公布 2019 年 Q3（7-9 月）财报：因出货量大增，每 GB 单价下滑幅度趋缓，而因停电导致“四日市工厂”部分产线停止生产的影响虽持续，但因生产回复时间较预期来得快，影响金额大缩，激励合并营收较前一季（2019 年 4-6 月）劲扬 11.6% 至 2,390 亿日圆，营损额自前一季的 989 亿日圆大缩至 658 亿日圆，净损额也自 952 亿日圆大缩至 560 亿日圆。
展望今后市场动向，铠侠表示，因供给端库存水准适当化，加上来自需求端的资料中心投资回复及智能手机搭载的内存数量增加，一般认为 2020 年供需将维持稳定。
铠侠携手美国 WD 在日本岩手县兴建的北上工厂第一厂房（以下称 K1）已于 2019 年 10 月竣工，预定在 2020 年开始进行生产。K1 将生产使用于资料中心 / 智能手机 / 自动驾驶等用途，堆叠 96 层制程技术的 3D NAND Flash 产品。
（本文由 MoneyDJ新闻 授权转载；首图来源：Kioxia）
