摩根士丹利（大摩）等看淡近来 DRAM 涨势，一度打压美光（Micron）股价。
不过高盛改变看法，高呼内存库存的去化速度快过预期，激励美光站上将近 11 个月高点。
22 日美光跳涨 3.67% 收 47.19 美元，创 2018 年 9 月 5 日以来收盘新高，并为连续第 4 天收涨。今年至今大涨 48.72%。
Barron’s、MarketWatch、CNBC 报导，高盛原本忧虑内存库存过多，会压抑近期价格，对内存芯片商的基本面看法审慎。但是周一高盛改变看法，分析师 Mark Delaney 调高美光评等，由“中立”升至“买进”。
Delaney 报告称，相信内存业者去化过剩库存的速度，将快过先前估计，特别是 NAND Flash，高盛现在对全球内存商的股价，看法较为正面。如果 NAND 需求在本季触底，将有助 DRAM 市场情绪，两者之间向来有历史连动性。NAND 好转应该被视为 DRAM 的领先指标；他们也持续预测，潜在生产速度将低于 2020 年的长期需求，供需状况将好转。
Delaney 相信，内存业者的 NAND 库存水位，从 6 月开始减少；东芝内存（Toshiba Memory）先前的停电事件会加速去化库存。他同时表示，中国内存业者在 DRAM 进展有限。高盛指出，美光业务中，60~70% 为 DRAM，约 30% 为 NAND Flash。
（本文由 MoneyDJ新闻 授权转载；首图来源：美光）
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