全球半导体材料及设备大厂应用材料公司，在目前举行中的国际储存研讨会 2018（IMW 2018）表示，2021 年 3D NAND Flash 的堆叠层数将超过 140 层，且每一层厚度会不断变薄，届时将提供更大容量、更小体积的储存空间。
国际储存研讨会，应用材料介绍了未来几年 3D NAND Flash 的发展线路图。应材指出，自 3D NAND Flash 诞生以来，堆叠层数就在不断成长。三星生产的第一代 3D V-NAND 只有 24 层堆叠，下一代就变成 32 层，随后就到 48 层；现在大多数厂商都在生产 64 层堆叠的 3D NAND Flash。SK 海力士则突破瓶颈，开始生产 72 层堆叠的 3D NAND Flash。预计下一代 3D NAND Flash 堆叠层数将超过 90 层，再下一个阶段会超过 120 层，到 2021 年时会超过 140 层堆叠数。
此外，NAND Flash 的 Memory Density per Die（裸晶容量）也随着堆叠层数成长而增加。也随着堆叠层数成长而增加。32 层时代是 128Gbit，48 层来到 256Gbit。目前 64 或 72 层则达到 512Gbit 容量，预计 2019 年推出 96 层堆叠 NAND Flash 应该会达到 768Gbit。未来 128 层将有超过 1024Gbit 的 Die Size。预计 2021 年推出的 144 层堆叠 NAND Flash，虽然目前不清楚 Die Size 会有多大，但可以肯定的是绝对大于或等于 1024Gbit。
应材进一步指出，虽然 NAND Flash 随着堆叠层数增加，储存堆叠的高度也在加大，然而每层厚度随着科技进步却在缩小。过去，32 及 36 层堆叠的 3D NAND Flash 堆叠厚度为 2.5μm，单层厚度约 70nm。到了 48 层堆叠的 3D NAND Flash 堆叠厚度则为 3.5μm，单层厚度减少到 62nm。现在 64 或 72 层 3D NAND Flash 堆叠厚度大约 4.5μm，单层厚度减少到 60nm。以此规则计算，每升级一世代，堆叠厚度都会变成原来的 1.8 倍，但单层厚度会变成 0.86 倍。
应材指出，目前各家厂商都在 3D NAND Flash 增加研发水准，尽可能提升闪存的储存密度。之前东芝与威腾宣布，计划 2018 年大规模生产 96 层堆叠的 BiCS4 3D NAND Flash，并会在年底前发货。随着资料增加越来越快的影响下，3D NAND Flash 的发展也成为各内存厂努力的目标。以求未来能提供更小体积、更大容量的产品来满足消费者需求。
（首图来源：美光科技）
