电动车、5G 基建带动功率元件需求，第 3 代半导体具重要地位，中国、美国等主要国家纷纷政策推动，国内外企业也争相投入。产业分析师表示，碳化硅基板是发展最大关键。
工研院产科国际所研究总监杨瑞临说，第 3 代半导体近年成为各国-与产业界关注的热门焦点，主要有 3 个催化剂。第一是美国电动车大厂特斯拉（Tesla）抢先采用第 3 代半导体碳化硅（SiC），让 SiC 元件得以实际发挥散热性佳，及提高电动车续航力等特色。
第二是全球环保意识抬头，各国-为达到碳中和、净零碳排，纷纷订定淘汰燃油车的时间表，促使车厂加速转进电动车。第三是中国为记取硅基半导体受制于美国的教训，政策大力支持发展第3代半导体。
有别于中国砸钱补贴的作法，杨瑞临表示，美国-推动的基建计划中将大举建置充电桩，这将为第3代半导体 SiC 创造市场。
第 3 代半导体是以SiC及氮化镓（GaN）为主要材料，有别于第1代半导体以硅（Si）、锗（Ge）为主要材料，及第 2 代半导体以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）、铝砷化镓（AlGaAs）为主要材料。
杨瑞临指出，在高功率应用方面，第3代半导体具备宽能隙、耐高温和高功率密度等特性；在高频应用方面，具备低能耗和散热佳等特性。电动车、5G基建及快充等需求是主要成长动能。
SiC 晶体管与碳化硅基 GaN 晶体管是成长性较高的两项产品，年复合成长率分别达 27% 及 26%，都需要采用 SiC 基板。
此外，SiC 功率元件成本架构，也是以包含长晶、切割、研磨的基板占最大比重，高达 50%。其余的磊晶占 25%，制造占 20%，后段封测占 5%。
杨瑞临表示，SiC 基板制造难度高，是成本高昂的主因。热场控制及晶种掌握相当关键，却只能土法炼钢，做中学、学中做。
SiC 长晶效率又比 Si 慢 100 至 200 倍，Si 长晶约 3 天即可制造高度 200 公分晶棒，SiC 要 7 天才能长出 2 至 5 公分的晶球。此外，SiC 硬且脆，切割、研磨抛光难度高，会有很多报废物。
科锐（Cree）是全球 SiC 基板龙头厂，市占率超过 6 成，目前国内有广运集团旗下盛新材料科技和稳晟材料投入 SiC 基板领域。
杨瑞临说，SiC 基板不仅占功率元件成本比重高，且与产品品质密切相关，SiC 基板将是 SiC 发展的一大关键，包括意法半导体（ST）等厂商皆积极朝上游 SiC 基板发展，以强化竞争力，值得台湾厂商参考。（首图为 SiC Waffer；图片来源：英飞凌；记者：张建中）
