尽管目前市场担心武汉冠状病毒疫情将影响今年首季行情，但业内人士认为内存价格涨势仍然可期。
咨询机构集邦科技指出，尽管目前疫情正严重，位于中国境内的 DRAM 与 NAND Flash 内存厂，没有任何产线停工，产量在短期之内应不会受到影响，加上第一季合约价早已议定，所以仍预期 DRAM 与 NAND Flash 合约价第一季仅小幅上涨。
但若以工厂据点来看，三大 DRAM 厂，仅 SK 海力士的无锡厂区可能受到影响，且距离武汉较远，冲击应不大，目前工人上工情况正常，产线仍持续运作，没有停工疑虑，主要观察重点放在物流系统是否因封城受阻，导致产线停摆。不过部分重要厂商已被-颁发特殊许可通行证，产业冲击应有限。
而 NAND Flash 冲击则较大，长江存储与武汉新芯，目前已宣布非一线人员外可在家上班，而厂务人员则进行排班，并严格管制人员进出。且受到封城影响将更严重，人员复工会有隐忧，虽然其市占率并不高，但若今年扩产计划受阻，对内存涨势将会有所支撑。但厂商也可望会获得中国-支援，并没有太悲观。
目前市场认为今年内存产业将会复苏，而 NAND 的反弹要比 DRAM 更快。在近期三星的财报会议中也提到，今年 NAND 有望出现 20% 以上成长，而 DRAM 也可能有近 10% 的反弹，美光此前也有类似的看法，WD 的看法更乐观，认为 NAND 非常紧俏，价格增加上看 35%。
而相对 DRAM 表现就比较没有那么强劲，不过目前来看，这样的趋势能否持续多久仍然是个问题，若今年第一季需求真的显弱，那么下半年也可能会受到影响。
- Memory prices to continue growing after outbreak ends, says Adata chairman
- Micron’s CEO: DRAM’s Supply/Demand Balance Will Be ‘A Tailwind’ in 2020
- The NAND Flash Market Is Rebounding Faster Than the DRAM Market
- DRAM contract prices to rise in 1Q20 says TrendForce
（首图来源：shutterstock）
延伸阅读：
- 目前中国境内内存厂区处于正常运作，武汉肺炎疫情尚未造成供给问题
- SIA：2019 年半导体销售年减 12%，光电元件逆势突围
- 铠侠发表第 5 代 3D NAND！堆叠 112 层、记忆容量提高 2 成
- 武汉肺炎如何影响经济，法人意见不乐观
