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DRAM 第一季库存去化摆脱降价压力,惟疫情影响产值衰退 4.6%

2024-12-29 206


根据 TrendForce 内存储存研究(DRAMeXchange)最新调查,第一季 DRAM 供应商库存去化得宜,季末的库存水位与年初相比已经显著下降,因此降价求售压力不再,整体 DRAM 均价相较前一季上涨约 0-5%。然而,因应新冠肺炎疫情,各国祭出封城锁国政策,导致物流受阻,DRAM 的位元出货也受到影响。所以虽然均价小幅上涨,但第一季 DRAM 整体产值季衰退 4.6%,达 148 亿美元。

TrendForce 指出,第一季受阻的出货将递延至第二季,因此在 DRAM 均价上涨幅度扩大且出货量同时提升的情况下,TrendForce 预测第二季 DRAM 整体产值将季增超过 2 成,原厂的营收与获利能力将持续成长。

DRAM 均价小涨带动原厂第一季获利能力提升

第一季因疫情导致出货受阻,“价涨量缩”的情况下,三大 DRAM 原厂第一季营收均呈现小跌,三星跌幅约 3%、SK 海力士约 4%,美光则约 11%(本次财报季区间为 2019 年 12 月至 2020 年 2 月)。市占方面,三星约 44.1%、SK 海力士为 29.3%,美光则为 20.8%。展望第二季,由于产能规划大致相同,因此 TrendForce 预期市占比例不会有太大变化。

三大原厂的获利受惠于第一季 DRAM 均价上扬而维持成长。三星去年第四季的营业利益率受惠于一次性认列而大增,垫高基期,所以虽然第一季营业利益率下滑至 32%,但实质的获利能力仍持续提升。SK 海力士第一季营业利益率为 26%,与上季的 19% 相比明显改善。美光本次财报季区间的报价涨幅小于韩厂,加上当前因开发 1Z 制程导致成本增加,使得营业利益率小幅下滑,但预计下次财报区间(3 月至 5 月)会有明显改善。

三大原厂产能规划保守,资本支出续降

观察各厂产能与技术能力,三星持续将部分产能(Line13)由 DRAM 转向影像感测器(CMOS image sensor),不过平泽二厂预计下半年投入 DRAM 生产,弥补 Line13 的投片下滑,同时提高 1Z 制程的比重。整体而言,考量疫情对需求面的冲击,三星审慎规划产出,2020 年产能增加幅度不高;SK 海力士持续将 M10 厂的 DRAM 投片转向影像感测器,并增加 M14 的产出,另将于下半年小幅提高无锡厂的产能。但全年的整体产能增加幅度不高,主要由 1Y 奈米制程比重提升贡献;美光的投片与产能与去年相较没有太大改变,今年度资本支出将着重 1Z 制程的量产与产出提升,目前正值 OEM 积极验证阶段,很快就能导入实际量产。

整体而言,三大原厂先进制程的开发与导入虽有递延,但大致顺利,没有重大品质异常情况发生。今年整体 DRAM 产能没有明显成长,资本支出也持续下降,供给位元成长主要来自于 1Y 与 1 奈米等先进制程的转进,并非实质投片增加。

台厂重心皆为先进制程的研发与转换

南亚科第一季出货量双位数成长,带动营收较前一季增加近 10%,加上研发费用的控制,营业利益率由上一季的 11% 升至 12.7%。展望第二季,在均价上扬的挹注下,获利能力将持续进步;华邦第一季量价大致持平,因此 DRAM 营收变化幅度不大,成长力道以 NAND Flash 较为明显;力晶科技第一季仍以影像感测器需求较为强劲,排挤 DRAM 产能,因此营收小幅下滑 3%(营收计算主要为力晶本身生产之标准型 DRAM 产品,不包含 DRAM 代工业务)。

尽管营收表现分歧,但台厂今年重心都在下一代制程的研发,如南亚科宣布不使用美光授权后专注于 1A/1B 奈米,华邦持续提升 25 奈米新制程的良率和产品多样性,力晶则专攻 25 奈米 DDR4 产品的稳定度与相容性。

(首图来源:shutterstock)

2020-05-14 02:24:00

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