内存制造厂旺宏董事长吴敏求今天表示，在人工智能（AI）浪潮下，内存需求将持续扩大，市场继续成长。他预期，3D NAND Flash 将取代 DRAM 成为市场主流。
吴敏求今天应邀出席李国鼎纪念论坛，演讲“闪存之现况及未来”。他说，包括人工智能、边缘运算、5G及汽车电子将带动大数据洪流，对内存需求增多。
吴敏求表示，先进半导体制程技术让2D储存型闪存（NAND Flash）及编码型闪存（NOR Flash）跨越无法微缩的障碍，进入3D内存，促使容量持续增加，维系NAND Flash与NOR Flash成长动量。
吴敏求说，目前内存市场仍以动态随机存取内存（DRAM）为大宗，不过3D NAND Flash拥有最高密度及最低制造成本，预期未来可能成为内存市场新主流。
至于NOR Flash市场，吴敏求表示，NOR Flash需求不会萎缩，创新会持续扩大NOR Flash的应用量。
吴敏求指出，大数据与人工智能对于使用内存的需求与规格，改变了半导体内存既有的角色。内存将由以往在幕后担任资料储存的角色，走向幕前成为协助运算，最终实现储存及运算一体的具体表现。
（作者：张建中；首图来源：shutterstock）
