近期 DRAM 现货价格回跌，内存模组厂商威刚董事长陈立白认为，现货市场再跌有限，主要是资料中心（Data center）客户开始下单时，DRAM 现货价将会开始二次反弹，且市场也会为了延到 11 月中的中美贸易谈判前先拉货，预估现货价再跌空间有限，10 月初反弹，合约价也不会再有跌势，而 Nand 目前原厂不急于亏损生产，在需求提升下，价格仍有再往上的可能。
对于 DRAM 市场，DRAM 已由最低价起算最高已涨 4 成，最近虽有回跌，但也几乎跌不下去，因为三大原厂对 9 月以后的合约价不看跌，或还有上涨的空间，需求面包括手机内存容量的增加，新机上市以及 Data center 客户恢复回补库存，因 Data center 的内存用量大，估在 10~12 月客户会重启拉货动能，现货价近期虽有小回跌，但 9 月中到 9 月下旬，需求会回升，约 10 月上下时现货价可望有二次反弹的机会。
对于 Nand Flash 市场，7 月初现货价开始反弹且幅度大于 DRAM，目前的价格持平，因原厂生产 Nand Flash 仍在亏损状况，以目前的价格来看，多做多赔，导致他们也不愿意多生产，Toshiba 停电事件后产能会逐渐恢复，但不会拉回全产能量产，所以 Nand Flash 产能不会恢复太快，至少要等价格回升到成本价，原厂才再有提升产能的诱因，陈立白预估需求动能会将价格逐月逐季拉升，目前价格离成本价还有 3 成的上涨空间。
故以此来看，DRAM 以及 Nand Flash 下半年都可望有价格上涨的机会，但陈立白更看好 2021~2022 年的内存大多头走势，主要是在 5G 手机、物联网、车用电子以及 AI 等智慧化的需求带动，但内存前几大厂无法有能力可为 2021 年做大规模的资本投资，所以到时可能会有供给吃紧的状况。
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