韩国内存大厂三星、SK 海力士相继在近日公布最新财报，除了营运状况，也得以一窥三星与 SK 海力士的技术进展，最格外引人注目莫过于，SK 海力士在今 26 日营运会议正式预告，72 层堆叠 3D NAND Flash 要来了！
SK 海力士今 26 日举行 2016 年第四季营运会议，会中也更新了 DRAM 与 NAND Flash 制程相关进度，值得注意的是，SK 海力士透露了公司新一代 3D NAND Flash 产品进度，首度证实将于韩国利川 M14 厂兴建新的洁净室、在 2017 年完成 72 层堆叠 3D NAND 的研发与量产。据先前传闻，SK 海力士最快将在今年上半年完成开发、下半年量产。
SK 海力士于 2016 年 11 月才量产 48 层推叠 3D NAND 产品，晚于三星与东芝等对手，三星在同年第四季即开始贩售 64 层 3D NAND Flash（三星称之 V NAND），依三星 24 日营运会议说法，2017 年心力也将放在强化 64 层产品竞争力上；东芝 64 层堆叠则于 2016 年下半开始送样、2017 年上半开始量产，若以目前各厂进度，SK 海力士有望超车三星、东芝等竞争对手。
随着 SSD 需求高涨，相较平面 NAND Flash 拥有更高性能与更大存储容量优势，新一代闪存 3D NAND Flash 俨然成为主流，包含三星、SK 海力士、英特尔／美光、东芝／Western Digital（WD）阵营都积极建厂扩产、比拼技术，连后进者中国打造的内存国家队长江存储，也期盼用 3D NAND Flash 超车内存群雄。
目前各大厂虽加速转进 3D NAND Flash，然调研机构集邦科技内存储存研究（DRAMeXchange）部门分析师杨文得预估，随着业者加速转进 3D NAND Flash、降低 2D NAND 的供货，至 2017 年第三季 2D NAND 占整体 NAND Flash 出货比重将滑落至 50% 以下，2017 年 3D-NAND 在 64 层堆叠的产品成熟前也将维持供应吃紧的状况，最快要到 2017 年第三季起才有机会成熟量产出货。整体来看，2017 年 NAND Flash 投片产能预估仅会年增约 6%。
- SK hynix FY2016 Q4 Earnings Results
（首图来源：FLICKR/Kimber Jakes CC BY 2.0）
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