DRAM 钱难赚，韩国内存大厂 SK 海力士砸钱拼 NAND flash，两年内产能增加了将近两倍。今年该公司再次大举投资，可能会继续扩大 NAND flash 规模。
韩联社、BusinessKorea 报导，SK 海力士 14 日宣布，今年资本开支为 6 兆韩圜（49 亿美元），与去年相近，要借此击退对手，并回应政府对企业扩大投资的呼声。
SK 海力士砸钱有成，Gartner 数据显示，2015 年第四季 SK 海力士 NAND flash 出货量为 2.5 亿组。今年上半，单季出货量可望增至 3 亿组。不只如此，以往 SK 海力士的 NAND flash 制程不如 DRAM 先进，现在也迎头赶上。去年 Q1 NAND flash 有 81% 采用 16 奈米制程，去年 Q4 增至 96%。
该公司计划生产更多高阶的 NAND flash 商品，如三阶储存单元（Triple-Level Cell，简称 TLC）的 NAND flash。当前 SK 海力士每季产量约为 1 亿组，远不如三星电子的 4.5 亿组。
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