车用需求加持下，碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等次世代功率半导体需求冲，预估将以每年约 20% 的速度呈现增长，其中 2030 年 SiC 产品市场规模预估将跳增 2.8 倍、GaN 将飙增 6.5 倍。
日本市调机构富士经济（Fuji Keizai）10日公布调查报告指出，因汽车／电子设备、产业用需求大幅萎缩，拖累2020年全球功率半导体市场规模年减3.8%至2兆8,043亿日圆，硅（Si）制产品规模萎缩4.0%至2兆7,529亿日圆，SiC等次世代产品市场成长9.6%至514亿日圆。
次世代产品中，2020年SiC功率半导体市场规模年增9.6%至493亿日圆，GaN功率半导体成长15.8%至22亿日圆、氧化镓功率半导体市场则仅有“一点点”。
富士经济指出，2020年功率半导体市场虽陷入萎缩，不过自2021年以后，因车辆电子化、5G通讯相关投资增加，加上产业领域需求回复，因此预估市场将转趋扩大，预估2030年市场规模将达4兆471亿日圆，较2020年成长44.3%，硅制产品市场规模预估为3兆7,981亿日圆，较2020年成长38.0%。
富士经济表示，自2021年以后，在汽车／电子设备需求加持下，预估次世代功率半导体市场将以每年近20%的速度呈现增长，2030年市场规模预估为2,490亿日圆、将较2020年跳增3.8倍（成长约380%）。
因汽车／电子设备需求加持，中国、北美、欧洲需求扬升，预估2030年SiC功率半导体市场规模将扩大至1,859亿日圆，较2020年跳增2.8倍；GaN功率半导体市场规模预估将扩大至166亿日圆，较2020年飙增6.5倍；氧化镓功率半导体市场规模预估为465亿日圆。
功率半导体除了是电动车（EV）关键零件，也正扩大应用于工业机器人、离岸风力发电设备等用途，是减碳不可或缺的产品之一。
目前日系厂商在功率半导体市场上拥有一定的存在感，三菱电机、富士电机、东芝等三家厂商合计握有全球二成市占。
日经新闻1月15日报导，Rohm计划在今后5年内投资600亿日圆，使用于EV的SiC功率半导体产能扩增至现行5倍；富士电机将投资约1,200亿日圆扩增日本国内外工厂产能，增产功率半导体；东芝计划2023年度结束前投资约800亿日圆、将功率半导体产能提高三成。
报导指出，Rohm SiC功率半导体研发居领先，全球SiC功率半导体市场握有二成市占率，和英飞凌（Infineon）、STMicroelectronics并列为全球主要供应商之一，产能扩增至5倍后、全球市占率有望提高至三成。Rohm生产的半导体材料也以经由汽车零件厂的形式，用于特斯拉（Tesla）的EV逆变器（inverter）。
（本文由 MoneyDJ新闻 授权转载；首图来源：Flickr/Open Grid Scheduler / Grid Engine CC BY 2.0）
