根据国外科技媒体 《anandtech》 的报导指出，全球晶圆代工大厂 GlobalFoundries （格芯） 于 27 日宣布，该公司已经已经完成了 22FDX （22 奈米 FD-SOI）的技术开发，而这项技术未来将投入嵌入式磁阻非易失性内存 （eMRAM） 的生产。
报导指出，eMRAM 这种新世代的内存综合了 RAM 内存、NAND Flash 闪存的优点，除了新型非易失性存储介质在断电后不会失去数据，而且写入的速度还数千倍于 NAND Flash 闪存，因此可以用于兼做内存和硬盘等用途，甚至整合两者的用途。另外，还有一项关键因素，那就是 eMRAM 对生产制程的要求不高，成品良率也比较高，这就可以使制造商更简单的控制成本，使得最后产品的价格不会高得离谱。
报导进一步指出，当前在市场上除了格芯外，另外还有包括英特尔、IBM、TDK、三星、希捷 (SEAGATE) 等科技大企业多年来也一直都进行着 eMRAM 的研究。对此，格芯表示，使用其 22FDX 制程技术所生产的 eMRAM 测试芯片已经完成，在错误检查与纠正 (Error Correcting Code;ECC) 的测试下，自 -40°C 到 125°C 的工作温度间，具有 10 万个周期的耐久性和 10 年的资料保持能力。
另外，格芯还指出，其所生产出的 eMRAM 测试产品目前已经通过标准的可靠性测试，包括 LTOL （168小时）、HTOL （500 小时） 和 5x 焊料回流，故障率 <1ppm，而生产中的的磁抗扰性问题也得到了有效解决。而格芯接下来将在德国德累斯顿的 12 吋 Fab 1 晶圆厂进行 22FDX 制程技术来生产 eMRAM，而格芯所生产的 eMRAM 已经有多个客户预计使用。
(首图来源:格芯官网)
