明年 NAND flash 究竟是涨是跌，多空激烈争辩。摩根士丹利（大摩）唱衰 NAND flash 的报告，开了第一枪。如今 IHS Markit 也跟进，预测明年 NAND 将供过于求。但是美系外资力排众议，高喊各方错看，明年 NAND 供应将持续吃紧。
韩媒 BusinessKorea 5 日报导，IHS Markit 报告预估，明年全球 NAND flash 供给将提高 39.6%、至 2,441 亿 GB。其中三星电子将带头增产，预料供给将增 39% 至 879 亿 GB。与此同时，明年全球 NAND 需求提高 36.7% 至 2,424 亿 GB，供给超出需求 17 亿 GB，供给过剩比率约为 0.7%。
尽管 NAND 转跌，DRAM 价格仍旺，业界人士说，三星也许会减产 NAND、增产 DRAM。美系外资附和此一看法，推测三星平泽厂的二楼产线，可能从生产 NAND 改为生产 DRAM。若真是如此，该外资预估，明年 NAND 将短缺0 .7%，供不应求情况到明年第三、四季更为严重，将分别短缺 2%、3.2%，吃紧情况为去年第四季以来之最。
部分观察家则说，另一个可能影响产出的因素是制程转换的技术问题，也许会让增产幅度小于预期。技术难度不断提高，过去六、七年来，业者投资规模大致维持不变，但是产出成长幅度却减半。随着三星和 SK 海力士转进 3D NAND，结果或许好坏参半，压缩成长增幅。
台北时间 5 日上午 9 点 36 分，三星电子走低 0.74%，报 2,548,000 韩圜。SK 海力士下跌 1.01%，报 78,300 韩圜。
在此之前，另一韩媒也说，三星平泽厂二楼主要用于生产 DRAM，但是警告此举也许会让 DRAM 供过于求。
（本文由 MoneyDJ新闻 授权转载；首图来源：三星）
延伸阅读：
- NAND 惨、DRAM 也不妙？传三星平泽厂将大扩产
- 反驳大摩触顶说！内存价跌是淡季将至、摩尔法则导致？
- 手机及服务器供需缺口扩大，第三季 NAND Flash 品牌商营收季增 14.3%
