2018 年在逻辑 IC 的生产方面，包括台积电、三星及格罗方德等都会量产 7 奈米制程。首代的 7 奈米制成将使用传统的 DUV 光刻技术，第二代 7 奈米制程才会上 EUV 光刻技术，且在 2019 年正式量产。至于，在内存产业部分，美光日前也表示，EUV 光刻技术并不是 DRAM 制程中所必须的，而且未来几年内都都还不一定用得上。目前，美光在新一代制程技术上，正在由客户验证 1Y 奈米制程的内存，而且未来还有 1Z、1α 及 1β 制程。
美光指出，内存跟处理器等罗技 IC 虽然都是半导体产品，生产制造过程有相似之处，不过制程技术并不相同。处理器的制程技术 2018 年已经进入到了 7 奈米的节点，但内存主流的还是 20 奈米、18 奈米等技术。其中，18 奈米就属于 16 到 19 奈米之间的 1X 奈米节点，后面的 1Y 奈米则是 14 到 16 奈米之间，1Z 则大概是 12 到 14 奈米制程之间。再往下走，美光就提出的是 1α 及 1β 制程技术，而具体对应的制程技术是多少奈米就不明了。
就目前市场上来看，三星是第一家量产 18 奈米技术内存的厂商，也就是第一个进入 1X 奈米节点的内存公司，遥遥领先其他竞争对手。而美光方面，现在也开始向 1X 奈米技术转进，下一代的 1Y 奈米技术则已经进入客户验证阶段了，预计 2018 年下半年问世。再下去的 1Z 奈米技术节点目前正处于制程优化阶段，而 1α 及 1β 制程则是在不同研发阶段中。
对此，美光首席执行官 Sanjay Mehrotra 日前在参加公开会议上表示，在 EUV 光刻技术上，他认为 EUV 光刻机在 DRAM 芯片制造上不是必须的，未来可能到 1α 及 1β 制程技术时都还不见得会用到。不过，这样的看法似乎与半导体设备大厂艾司摩尔 (ASML) 的看法有些不同。因为，艾司摩尔之前曾经表示，在内存生产技术上，进入 1Y 奈米技术的节点时就需要考虑 EUV 技术了。只是，这样的预测到目前实际上并没有发生，因为包括三星在内的三大 DRAM 厂在内，目前都没有很快进入 EUV 技术的打算。因此，即使未来内存的需求依旧强劲，但要以 EUV 技术来加大能量，短期内仍然还不容易见到。
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