就在日前传出台积电正思考在日本独资兴建并营运晶圆厂之后，美商内存大厂美光（Micron）首席执行官 Sanjay Mehrotra 近期接受《日本经济新闻》采访时也表示，美光将与日本-合作，透过扩大在日本的投资，以及与当地设备和材料公司合作，加强日本的半导体供应链。而针对此一计划，韩媒指称将可能影响韩国内存厂商的发展。
报导指出， Sanjay Mehrotra 表示，美光愿意与日本公司合作开发第 5 代 10 奈米级的 DRAM 生产技术。事实上，美光已经于 6 月初的 Computex 2021 活动中宣布，已开始量产全球首批第 4 代 10 奈米级的 DRAM。目前，韩国的三星和 SK 海力士两家领先全球的内存大厂，当前 DRAM 全球市场上的排名非别为第一和第二。但两家公司仍专注第 3 代 10 奈米级 DRAM 生产。因此，在技术领先的情况下，美光已经开始在市场占有率方面逐步威胁三星及 SK 海力士。
此外，美光还看上全球 NAND Flash 闪存全球市场占有率第二的日本铠侠（Kioxia）。 根据市场研究及调查机构 TrendForce 资料显示，三星电子当前以 33.5% 市占率位居 NAND Flash 闪存全球市场的龙头，而美光以 11.1% 的市占率排名第 5。如果美光收购了市占率达 18.7% 的铠侠之后，美光将进一步将威胁三星。
报导还强调，除了内存市场，晶圆代工市场，全球晶圆代工龙头台积电目前也传出将在日本进行一系列投资的计划，以加强与美国和日本之间的合作关系。台积电在 2 月份宣布将在日本筑波市建立半导体材料的研发设施后，日前也由日媒报导表示，台积电也计划在日本建立一家独资的晶圆厂。
相较台积电近期已在美国亚利桑那州开始动工兴建先进制程晶圆厂，并计划在未来 3 年投资 1,000 亿美元，用以提高晶圆厂的技术与生产力。韩国三星则计划投资 170 亿美元扩大美国德州晶圆厂，也将对韩国平泽市 P3 晶圆厂产线进行新投资。不过三星并未透露新投资任何细节。尽管三星电子决定 2030 年前在系统半导体领域的投资金额，由原本 133 兆韩圜扩大到 171 兆韩圜，与台积电 3 年内投资 111 兆韩圜相比还是相形见绌。
（首图来源：科技新报摄）
