被视为下一代非挥发性内存的“可变电阻式内存”（Resistive Random Access Memory、ReRAM）发展出现突破，韩国研究人员利用单层石墨烯（graphene）电极，研发出电阻转换测量科技，或许有望解决 ReRAM 量产的最大障碍。
韩国媒体 ETNews 报导，仁荷大学（Inha University）材料科学工程系教授 Jeon Hyeong-tak 和 Seoh Hyeong-tak 25 日宣布开发出新科技，用和碳原子相同厚度的单层石墨烯，取代上层电阻，石墨烯极为轻薄，使得测量电极的信号变化成为可能。
ReRAM 靠着绝缘体的电阻变化，区别 0 和 1，外界认为或许能取代 NAND 型闪存（NAND Flash），但是 ReRAM 商业化的最大障碍在于运作原理不明，难以测量。新科技或许有望突破此一限制，但是仍需更多研究才能扩大运用。
Market Realist 4 月 28 日报导，美光科技（Micron Technology）和 Sony 在国际固态电路研讨会（International Solid-State Circuits Conference）上表示，正透过 27 奈米制程，开发 16-Gbit 的 ReRAM；Sony 预定 2015 年量产 ReRAM 芯片。专家表示，三星（Samsung）应该也在研发包括ReRAM的次世代储存科技。另外，SK Hynix、Crossbar、Panasonic、HP 也在开发替代的非挥发性内存，如 ReRAM、相变化内存（Phase Change Memory、PCM)、磁电阻式随机存取内存（Magnetoresistive Random Access Memory、MRAM）。
日经新闻1月1日报导，东芝（Toshiba）将携手韩国 SK Hynix 于 2016 年度量产可大幅提高智能手机效能的次世代内存“磁电阻式随机存取内存（Magnetoresistive Random Access Memory；MRAM）”，量产时间将比美国美光科技（Micron Technology Inc.）所计划的 2018 年提前了约 2 年时间。
（精实新闻 记者 陈苓 报导）
