内存市场明年可望强劲复苏，IC Insights 预估，NAND Flash 将成长 19%，将是成长最大的市场，DRAM 成长 12%，是成长第三大市场。南亚科等内存厂营运将同步回温。
研调机构 IC Insights 表示，动态随机存取内存（DRAM）与储存型闪存（NAND Flash）两大内存市场今年将同步重挫，DRAM 市场将衰退 37%，将是下滑幅度最大的 IC 市场，NAND Flash 也将衰退 27%。
在经历今年大幅滑落后，IC Insights 预期，明年 DRAM 与 NAND Flash 市场可望同步弹升，DRAM 市场将成长 12%，将是成长第三大的 IC 市场；NAND Flash 也将成长 19%，将是成长最大的 IC 市场。
IC Insights 指出，包括 5G、人工智能（AI）、深度学习、虚拟实境、资料中心、云端运算服务器、汽车与工业市场等，都将是 DRAM 与 NAND Flash 主要成长动能。
随着市况回温，南亚科、华邦电、旺宏、威刚、群联等内存厂营运可望好转。在市场买盘涌入下，内存族群今天股价普遍走扬。
（作者：张建中；首图来源：shutterstock）
