内存需求动能强劲，第四季 DRAM 合约价有望再涨逾一成

受到第三季进入旺季需求带动，内存、面板等关键零组件皆终止长期价格颓势。TrendForce 旗下内存储存事业处 DRAMeXchange 表示，内存在笔电需求回温、智能手机延续强劲成长态势与服务器需求增温带动下，DRAM 与 NAND Flash 第四季价格预计将同步上扬，特别是 DRAM 合约价第四季估将再涨逾一成。

DRAM 市场至 2017 年都将维持健康的供需状态

由于今年中国品牌智能手机表现超乎预期，服务器出货也受惠于中国数据中心需求增温，下半年台系服务器代工厂订单与较上半年平均成长近两成，促使 DRAM 原厂自第二季开始大幅调升行动式内存与服务器记忆体的产出并调降标准型内存出货。DRAMeXchange 研究协理吴雅婷表示，今年第四季行动式内存出货比重将逼近 45%，服务器内存出货比重突破 25%，标准型内存则仅剩不到 20%。

然而，从笔电的市况来看，第三季北美地区笔电需求增温，如惠普与戴尔出货季成长皆超过 8%，造成标准型内存供应紧俏，DDR3 与 DDR4 的 4GB 模组合约价格终于止跌回稳并站上 13.5 美元。在原厂仍维持转进毛利高的行动式内存的策略下，DRAMeXchange 预估，第四季标准型内存价格将持续上涨，DDR3 与 DDR4 的 4GB 模组将上看 15 美元，季涨幅（季均价对季均价）将达 15%，整体获利结构逐步攀升，DRAM 市场未来一年都将维持健康的供需状态。

行动式内存则持续受惠中国智能手机拉货需求及新一代 iPhone 备货将在第四季达高峰，目前已有部分中国大厂与主要 DRAM 供应商订定的第四季合约涨价超过一成，预期第四季行动式内存涨幅也将相当可观。

 

大厂积极抢料，第四季 NAND Flash 价格维持上涨

在 NAND Flash 部分，第三季苹果与中国 OEM 大厂华为、vivo、OPPO 等拉货动能优于预期，对整体 2D NAND Flash 产能消耗十分庞大，尤在 NAND Flash 原厂转进 3D-NAND Flash 速度不如预期情况下，供给更为紧俏。此外，企业级固态硬盘需求、笔电固态硬盘搭载率快速提升，同步造成第三季 NAND 产能缺口。

受到上述 OEM 端强大需求及制程转进不顺的影响，让三星、东芝、晟碟、美光等供应商，对模组商的供货水位骤降，模组厂在原厂供货短缺下只能被迫接受涨价。DRAMeXchange 调查显示，截至 8 月下旬，主流 128Gb TLC wafer 合约均价已较 6 月底涨 10% 以上。

第四季 OEM 端客户在不看好非三星阵营 3D-NAND Flash 的转进进度，担心导致供应吃紧的预期心理下，已经出现 Overbooking 与 Double Booking 的抢料动作。DRAMeXchange 预估，在智能手机客户拉货力道持续不坠下，供货短缺情况料将延续，第四季 NAND Flash 价格仍维持上涨，而模组厂是否愿大量备货成为价格涨幅多寡的关键。

（首图来源：shutterstock）