随着 NAND Flash 闪存及 DRAM 价格不断下跌，2019 年内存市场将迎接逆风。而为了应付降价导致的损失，包括内存大厂三星、SK 海力士（SK Hynix）及美光都计划减少资本支出。不过，降低成本支出并不意味着他们不再建设工厂了，就在本周，SK Hynix 正式开工建设第 7 座半导体工厂──M16 厂，总投资不低于 15 兆韩圜（约 133 亿美元）。虽然还没确定最终生产 NAND Flash 还是 DRAM，但是这座晶圆厂确定将会采用最先进的 EUV 光刻技术。
2018 年 10 月份，SK Hynix 才刚完成最新的 M15 工厂兴建，并且在日前正式进入量产，且该工厂是 2015 年 SK Hynix 宣布将斥资的 46 兆韩圜投资计划中的一部分。M15 工厂位于韩国忠清南道的清州市，投资额高达 15 兆韩圜，以生产 3D NAND Flash 为主，初期以生产现在的 72 层堆叠 3D NAND Flash，2019 年开始，就会转到 96 层堆叠的 3D NAND Flash 上。
至于新动工的 M16 厂，在本周正式举行开工典礼之后，预计 2020 年正式完成，总投资额还没确定。不过，也确定不会低于 15 兆韩圜。其中，基础设施建设就要 3.5 兆韩圜，占地达 30 英亩。这座工厂最终会以生产 DRAM 还是 NAND Flash 为主，目前尚未确定。对此，SK Hynix 表示，要看落成时的市场需求以及工厂的技术水准来决定。
虽然，还不确定要生产什么样的产品，不过有一点可以肯定，那就是 M16 工厂将会用上最先进的 EUV 光刻技术。事实上，内存跟逻辑芯片不同，虽然对 EUV 光刻技术的需求没那么高，不过三星、SK Hynix 仍会依计划，在未来使用 EUV 技术生产内存。而相对于韩国两大内存厂的做法，美系厂商美光对 EUV 使用的态度就显得比较保守。之前曾经宣布，在未来 2 代的内存生产中都将不会用到 EUV 光刻技术。
而除了韩国之外，SK Hynix 在中国无锡也有生产 DRAM 的晶圆厂。无锡厂目前的一期工程产能在每月 10 万到 12 万片之间，是全球重要的 DRAM 芯片基地之一。而 SK Hynixy 在 2018 年初期，还宣布将投资 86 亿美元在无锡建设第 2 座内存工厂，预计完成后内存产能将达到每月 20 万片。
另外，日前有韩国媒体报导，目前韩国政府正在推动大型半导体制造群体，预计在 10 年内投资超过 120 兆韩圜，并纳入 4 家大型半导体工厂及 50 家上下游材料及设备供应商。其中，SK Hynix 就允诺，将依据计划在韩国境内再兴建一座大型半导体工厂。因此，在当前半导体景气面临逆风的状态下，韩系内存厂的扩张计划将不会有所改变。
(首图来源:Flickr/Kimber Jakes CC BY 2.0)
