日经新闻 20 日报导，因中国、台湾智能手机厂商纷纷强化产品功能，带动内存需求大增，加上三星电子西安工厂 6 月因附近变电厂爆炸而一度停工，带动使用于智能手机、记忆卡的 NAND 型闪存（Flash Memory）交易价格转趋走扬，指标性产品 6 月份批发价在 1 个月期间内飙涨 22%。
报导指出，6 月份 MLC（Multi-Level Cell）类型 64Gb NAND 价格扬升至每个 2.75 美元，为 2 年 9 个月以来首度走升，其中也有部分交易价格超过 3 美元，且进入 7 月以来价格仍持续走扬。据英国调查公司 TechNavio 指出，2016 年全球 NAND 整体出货量预估将年增 3 成至超过 100 亿个。
据报导，6 月中旬三星位于西安的半导体工厂因附近变电厂爆炸导致电压不足而一度停工，而该座工厂目前虽已重启生产，不过据悉上述变电厂爆炸事件目前仍对供应量带来影响。三星西安工厂主要生产 3D NAND Flash。
韩国媒体朝鲜日报日文版 6 月 20 日报导，三星关系人士表示，“就像邻居水管破裂会造成水压不足一样，三星西安工厂部分半导体设备因感测到电压下滑，而自动停工，西安工厂半导体产能约 10% 因此受到影响。”
韩联社 7 月 12 日报导，韩国三星电子 2016 年 Q1（2016 年 1-3 月）NAND 型闪存（Flash Memoy）全球销售额创下历史新高纪录，稳坐全球龙头位置。报导指出，根据 IHS 的资料显示，Q1 三星 NAND Flash 销售额较前一季（2015 年 Q4）成长 3.1% 至 26.15 亿美元，增幅是整体市场（成长1.6%）的近 2 倍水准，市占率也从前一季的 42.0% 上扬至 42.6%。
排名第二位东芝（Toshiba）市占率虽从 24.0% 大幅扬升至 28.0%，不过与三星之间仍有高达 14.6 个百分点的差距；第三位为美国美光（Micron）的 18.8%、韩国 SK Hynix 则以 10.6% 的市占率位居第 4 位。
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