三星电子制程领先，率先量产 18 奈米 DRAM，把同业抛在脑后。竞争对手美光（Micron）和 SK 海力士（SK Hynix）不甘示弱，纷纷砸钱要追上三星。
Nikkei Asian Review、BusinessKorea 报导，三星是 DRAM 龙头，制程领先对手 1~2 年，2016 年下半首先量产 18 奈米 DRAM，计划今年下半推进至 15 奈米。IHS Markit 估计，今年底为止，三星打算把 18 奈米 DRAM 的生产比重，提高至 30%。业界人士说，三星会以利润优先，不会扩产抢市，打乱价格。
三星一马当先，DRAM 第三大厂美光拼命追赶，计划未来 2、3 年砸下 20 亿美元，研发 13 奈米 DRAM 制程。美光在日本广岛厂增设无尘室设备，并购买了多项高价生产仪器。进入 13 奈米制程之后，同一片晶圆能分割成更多芯片，生产力将提高 20%。美光已于今年第一季量产 18 奈米 DRAM。
与此同时，SK 海力士也准备在今年下半量产电脑用的 18 奈米 DRAM，接着再投入行动装置用的 18 奈米 DRAM。SK 海力士会优先提高 21 奈米制程良率，之后转进 20 奈米、再转向 18 奈米。SK 海力士人员透露，该公司正在研发 1y DRAM 制程，但是还不确定量产时间。
在此之前，三星电子的韩国华城厂（Hwaseong），即将扩产的传闻延烧许久。最新消息显示，三星决定投资 3 兆韩圜（约 26.4 亿美元）提升 DRAM 产能。不过由于未来 11 线不再生产 DRAM，产能一增一减之下，应该不至于冲击 DRAM 供给。
（本文由 MoneyDJ新闻 授权转载；首图来源：SK 海力士）
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