因竞争对手台积电、三星陆续在 2018 年挺进 7 奈米先进制程，格罗方德（GLOBALFOUNDRIES）日前也宣布，该公司的 7 奈米制程不但在测试良率已提升到 65%，未来将按照时程使用 EUV 技术的商用和普及，并与客户 AMD 展开合作。根据格罗方德先前公布，7 奈米制程将在 2018 年推出，并在年底量产。
根据格罗方德全球销售和业务发展高级副总裁 Mike Cadigan 日前在中国上海举办的 GTC 技术大会演讲表示，随着 5G 即将开始商用，资料传输的速度越来越高，手机需要满足高速且大量的资料传输，需要不同以往的射频元件。在高性能运算需求方面，格罗方德将提供 FinFET 制程，从 14LPP 到 12LP，再到 7LP 等各节点的制程技术。
格罗方德首席技术长兼全球研发高级副总裁 Gary Patton 指出，目前 7 奈米制程的 7LP EUV 技术已有积极进展。7 奈米 LP 制程预期将比 14 奈米制程效能提升 40%、功耗降低 60%。目前，7 奈米测试良率已经提高到 65%，将按计划进行 EUV 技术的商用和普及，并且与客户 AMD 合作。
Gary Patton 坦言，在 EUV 技术上，格罗方德的 7 奈米制程确实面临很多挑战，包括如何进一步提升良率、光罩防尘膜瑕疵等问题，必须努力克服才能投入大规模量产，目标是将良率提高到 95%。格罗方德目前采取分阶段采用 EUV 技术的策略，第一阶段将不采用光罩防尘膜（pellicle），第二阶段才会使用。
除了先进制程，传统的成熟制程一般很难满足所有应用的要求，物联网（IOT）对低功耗的要求更高，因此低功耗高性价比要求的应用，格罗方德也针对物联网、行动通信、射频芯片提供 22FDX、12FDX 等制程解决方案。
Gary Patton 指出，目前格罗方德 20、22 奈米已进入量产准备阶段，且 2018 年底前已有 15 个设计定案，并陆续有 135 家客户展开初期接触。他指出，目前 12FDX 性能已经 90% 达到目标，预计 2018 年下半年进入试产，2019 年上半年正式量产。
格罗方德在中国的布局方面，受瞩目的成都晶圆厂 Fab 11（11 厂）厂房施工建设历时 8 个多月，一期厂房即将于 11 月初封顶，项目进展十分顺利。预计在 2018 年完工时，将成为中国境内最大的晶圆厂，并成为中国最先进 12 吋晶圆厂之一。同时，Fab 11 也将成为格罗方德 22FDX 制程的生产中心。
预计先期 Fab 11 会以生产 0.13 微米到 0.18 微米的主流成熟技术产品为主，每月产能为 20,000 片。到 2019 年下半年，将进行高度差异化的 22FDX（FD-SOI）制程量产，届时产量将提高至每月 65,000 片。
（首图来源：格罗方德）
