这两年，随着内存价格的暴涨，主要的内存厂商也纷纷大幅投资，扩大产能。因此，根据市场调查单位 《IC Insight》 的最新报告指出，2018 年半导体资本支出总金额将增加至 1,020 亿美元，这是该产业有史以来第一次在全年的资本支出上花费超过 1,000 亿美元。而这一金额相比 2017 年的 933 亿美元来说，成长了 9%，也比 2016 年成长了 38%。
报告表示，2018 年半道体资本支出的总金额超过一半是预计用在内存的生产上。其主要产品包含 DRAM 和 NAND Flash 闪存上，用于现有晶圆厂和全新制造设施的升级。整体来说，预计 2018 年内存将占整体半导体资本支出的 53%。
另外，内存的资本支出比例在 6 年内大幅增加，几乎翻了一倍的程度。也就是从 2013 年 147 亿美元的 27% 比例，增加到 2018 年 540 亿美元的 53% 比例，相当于 2013 年到 2018 年间的复合年成长率高达 30%。
此外，在主要产品类别上，2018 年预计DRAM / SRAM 的资本支出增加幅度最大。但是，在 NAND Flash 闪存占 2018 年资本支出的最大比例。而且，预计 2018 年 DRAM / SRAM 的资本支出将在 2017 年强劲成长 82% 后，将出现 41%的成长。至于，NAND Flash 闪存体方面，2018 年的资本支出，将在2017 年达到成长 91% 后，再成长 13% 的比例。
报告中进一步指出，经过两年的资本支出的大幅增加，一个迫在眉睫的问题是，高成长率的支出是否会导致内存产能过剩和价格下降。根据过去的经验指出，过多的支出通常会导致产能过剩和随后的价格疲软。因此，包括三星，SK 海力士，美光，英特尔，东芝/威腾电子/ SanDisk 和 XMC /长江存储技术等公司都计划在未来几年内大幅提升 3D NAND Flash 内存产能。所以，IC Insights 认为，未来 3D NAND Flash 内存需求过高的风险正在上扬，且不断提升中。
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