次世代内存大战开打，英特尔研发“3D cross point”技术，拟推“PRAM”。三星电子不甘示弱，发表“MRAM”（magnetoresistant random access memory，磁阻式随机存取内存），号称读写速度比 NAND Flash 快上一千倍。
fudzilla、IBTimes、韩国经济日报报导，三星 24 日发表“MRAM”，此种次世代内存兼具 NAND Flash 和 DRAM 的优点，无须电源也能储存资料，而且处理速度极快。三星宣称，MRAM 是非挥发性内存，采用自旋传输科技（Spin-torque transfer）读写数据，速度比 NAND 快了一千倍。不仅如此，MRAM 更省电，使用时（active）耗电量比传统内存少，停用时（inactive）更无需用电。
目前次世代内存包括 MRAM、PRAM、ReRAM，其中 MRAM 速度最快，但是量产难度较高。现在三星只能少量生产，但是预期能尽速克服生产障碍。
三星同时宣布，欧洲大厂恩智浦半导体（NXP Semiconductors）的物联网半导体将采用 MRAM，双方签订晶圆代工协定，将量产 28 奈米的全耗尽型绝缘层上硅（FD-SOI）。
IBTimes 猜测，倘若三星 MRAM 量产进展顺利，或许今年下半问世的 Galaxy Note 8 就会内建 MRAM，以便做出市场区隔。MRAM 用于智能手机可加快处理速度，并更为省电。
（本文由 MoneyDJ新闻 授权转载；首图来源：三星）
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