外电报导指出，韩国三星电子在 23 日举行的在全球半导体产业会议 Hotchips 33 上表示，三星电子将于 2022 年底开始量产 8 层堆叠的 DDR5 内存。
根据韩国媒体《THEELEC》报导指出，韩国三星电子将于 2022 年底开始量产的 8 层堆叠 DDR5 内存。其将使用其硅通孔 (TSV) 技术，将 512GB DDR5 内存模组进一步堆叠起来。而目前该公司已经生产出 4 层堆叠，并采用 TSV 技术整合 DDR4 内存模组的内存，整个芯片的厚度仅 1.2 毫米。
报导引用三星的说法表示，尽管可堆叠到 8 层 DDR5 内存模组，但整个 DDR5 内存仍将比 1 毫米更薄。而且与 DDR4 内存相较，新的 DDR5 内存还将具有更好的散热功能，而这要归功于新型材料的应用所导致。另外，三星还在模组中也采用自己开发的新款电源管理 IC 来降低噪音，并使其有较优秀的功耗性能。
报导进一步指出，三星新的 8 层堆叠 DDR5 内存将具有 7.2Gbps 的资料传输速度。三星还应用了一种称为决策反馈均衡器的技术，以进一步提升数据传输速率，并保信号的稳定状况。另外，三星还强调，新的内存模组将以资料中心的服务器市场需求为主要供应对象。
（首图来源：shutterstock)
