TrendForce 内存储存研究（DRAMeXchange）指出，DRAM 与 NAND Flash 等内存产品，目前都处于第一季各产品别的议价时刻，但由于 2017 年 12 月 22 日中国发改委员会出于对三星半导体对 内存价格持续调涨的现象感到不满，因而约谈该公司的变数下，可能将对内存价格走势带来变数，预期行动式内存涨幅将较收敛。
DRAMeXchange 研究协理吴雅婷指出，从每单位容量来看，2017 年 DRAM 价格上涨超过四成，同期 NAND 价格上涨幅度也逼近四成水位。该事件起因为中国智能手机业者商无法承受内存持续涨价，因此向中国发改委投诉，希望能抑制后续以三星为首的内存厂商价格涨势，并清查是否有垄断疑虑。根据 DRAMeXchange 资料，三星去年第三季在全球 DRAM 产值的市占率为 45.8%，为全球第一；NAND 产值的市占率约为 37.2%，同样是产业龙头。
服务器内存涨价将持续，行动式内存第一季涨幅缩小为 3%
就 DRAM 市场不同的产品别来看，虽然中国地区的 PC 及服务器厂商同样对价格上扬感到不满，但由于产品本身获利还能维持，不积极增加单机搭载内存容量的策略之下，还可以有效控管成本。尤其以目前最缺的服务器内存而言，自去年第三季起，随着北美资料中心建案而供货吃紧进而带动涨幅，整体备货动能超出预期。
展望今年上半年，因原厂对产能计划趋于保守，实质新产能开出将落于下半年，导致上半年供给仍然受限，整体市场仍然吃紧；虽然市场传出中国发改委介入价格制定的消息，但对于价格涨幅并不会有太大影响，预期今年上半年服务器内存价格仍然会延续涨价的走势。
然而，因为中国发改委介入，对今年第一季行动式内存价格恐怕造成实质的负面影响。中国智能手机出货疲弱的大环境影响下，虽然整体 DRAM 仍呈现供货吃紧状态，但以三星为首，率先调整对中国智能手机厂商的报价，行动式内存的涨幅已较先前收敛，从原先 5% 的季成长缩小为约 3%。
由于中国近年已成为内存产出的最大出海口，不管是内陆或是外销，透过中国购买的内存比重持续增加，因此官方介入恐怕对价格产生实际变化。以三星半导体为例，去年一整个年度，中国地区贡献内存事业处的营收就已超过五成，因此对中国政策的改变维持很高的关注程度。
发改委介入调查，三星可能将改变出货比重并提前扩产计划
就三星本身而言，所有产品类别里，DRAM 平均销售单价（per Gb）以行动式内存产品最低，尤其明显低于服务器内存与绘图用内存，发改委的介入使三星无法大幅度调涨行动式内存价格，在获利空间的考量下，三星及其他 DRAM 供应商将更快速将产能移转到获利较高的产品出货，使后续行动式内存的出货比重进一步下修的可能性高。
除此之外，若中国政府干涉的影响持续存在，三星为抑制 DRAM 价格涨幅，不排除可能提前 DRAM 扩产计划。三星关注度最大的平泽厂二楼，原先预定在今年下半年才会大幅投片，但为了减缓价格涨势，三星可能提前扩厂速度，不过截至目前，三星尚未做出最终决定。
另外，以 NAND Flash 而言，不论在 SSD、eMMC/UFS，还是晶圆／颗粒上，由于本身市场就普遍预期价格逐渐下滑，并且三星在上述应用市场的影响力不如 DRAM 强势，所以发改委事件对 NAND 的报价并没有显著影响。DRAMeXchange 指出，2018 年上半年需求不如预期，但 3D 产能仍不断开出，市况将转变成供过于求，导致 NAND Flash 价格持续走跌的概率升高。
（首图来源：Flickr/Samsung Newsroom CC BY 2.0）
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