中国积极发展内存，美光全球制造资深副总裁艾蓝（Wayne Allan）认为，内存进入门槛高，中国厂商产品难达美光水准；他并表示，美中贸易纷争目前尚无负面影响。
艾蓝 24 日下午在美光（Micron）桃园厂，对媒体说明对内存市况的看法，及美光台湾动态随机存取内存（DRAM）卓越中心的进展与未来规划。
谈到今年市况，艾蓝表示，今年储存型闪存（NAND Flash）位元供给成长将略高于 45%，市场供需趋近平衡；DRAM 市场需求相对强劲，市况健康，今年供给将增加约 20%。
除新加坡晶圆 10 厂新产线动土，艾蓝指出，美光日本广岛晶圆 15 厂也将扩充；他说，这些计划不尽然是为扩产，而是因为技术升级，需要更大空间。
至于美光台湾 DRAM 卓越中心进展，艾蓝表示，美光在台湾有两个前端制造厂区，及一个后段制造厂；其中，桃园厂预计今年底 1y 奈米制程将投产，台中厂 1x 奈米制程已可投产，预计 2019 年下半年提升到 1z 奈米。
艾蓝指出，美光台湾 DRAM 卓越中心透过在相同地点进行产品工程设计、先进封装技术开发、供应链及采购，将可加快良率学习周期，成本结构也将更具竞争力，并将有利降低端至端产品生产周期。
美光今年 3 月台湾员工总人数有 6,800 人，艾蓝表示，至 2019 年将扩增至 7,650 人。
对于外界关心中国厂商挖角情况，艾蓝指出，美光台湾员工过去一年离职率约 10%，不过，在提供的薪资福利与全球工作机会吸引下，离职情况已趋于稳定，近 6 个月离职率约 6%。
艾蓝表示，内存领域进入门槛高，技术困难，且美光已具 40 年发展历史，并不断创新与推进技术，预期中国厂商无论在 DRAM 与 NAND Flash 都很难达到美光的水准。
艾蓝指出，美光拥有丰富完整的硅智财（IP），将会尽全力保护 IP，目前少考虑授权中国厂商，美光在中国业务健康。至于美国与中国贸易关系紧张，他说，目前对美光尚无负面影响，但会持续关注后续变化。
（作者：张建中；首图来源：美光）
