晶圆代工之战，7 奈米制程预料由台积电胜出，4 奈米之战仍在激烈厮杀。外媒称，三星电子抢先使用极紫外光（EUV）微影设备，又投入研发能取代“鳍式场效晶体管”（FinFET）的新技术，目前看来似乎较占上风。
Android Authority 报导，制程不断微缩，传统微影技术来到极限，无法解决更精密的曝光显像需求，必须改用波长更短的 EUV，才能准确刻蚀电路图。5 奈米以下制程，EUV 是必备工具。三星明年生产 7 奈米时，就会率先采用 EUV，这有如让三星在 6 奈米以下的竞赛抢先起跑，可望加快发展速度。
相较之下，台积电和格罗方德（GlobalFoundries）的第一代 7 奈米制程，仍会使用传统的浸润式微影技术，第二代才会使用 EUV。
制程微缩除了需拥抱 EUV，也需开发 FinFET 技术接班人。晶体管运作是靠闸极（gate）控制电流是否能够通过，不过芯片越做越小，电流通道宽度不断变窄，难以控制电流方向，未来 FinFET 恐怕不敷使用，不少人认为“闸极全环场效晶体管”（Gate-all-around FET，GAAFET）是最佳解决方案。
今年稍早，三星、格罗方德和 IBM 携手，发布全球首见的 5 奈米晶圆技术，采用 EUV 和 GAAFET 技术。三星路径图也估计，FinFET 难以在 5 奈米之后使用，4 奈米将采用 GAAFET。尽管晶圆代工研发不易，容易遇上挫折延误，不过目前看来三星进度最快。该公司的展望显示，计划最快在 2020 年生产 4 奈米，进度超乎同业，也许有望胜出。
（本文由 MoneyDJ新闻 授权转载；首图来源：shutterstock）
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