Samsung3nmGAA工艺真的比台积电领先吗？
2024-11-25
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目前全球已量产的最先进半导体工艺是 5nm，台积电此前表示，2022 年下半年将量产 3nm 工艺，沿用选择 FinFET 晶体管技术。 Samsung 这边也将 3nm 拉上了进程，选择了 GAA（Gate-all-around）技术，并且几个月前还成功流片，距离实现量产更近了一步。
Samsung 3nm GAA 工艺比起目前较成熟的 FinFET 晶体管技术来说是非常的“稚嫩”，当然，这并不是判断谁更好的标准，那么 GAA 又是什么呢？据悉 ，GAA 是一种新型的环绕栅极晶体管，通过使用纳米片设备制造出了 MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多桥-通道场效应管），该技术可以显著增强晶体管性能，主要取代 FinFET 晶体管技术。
Samsung 的 3nm GAA（MBCFET）工艺分为 3GAAE / GAAP (3nm Gate- AlI-Around Early/Plus) 两个阶段。根据 Samsung 表示，与目前的 5nm 制造工艺相比，3nm GAA 技术的逻辑面积效率提高了 35% 以上，功耗降低了 50%， 性能提高了约 30%。
Samsung 电子装置解决方案事业部门技术长 Jeong Eun-seung 在 8 月 25 日的一场网络技术论坛中透露，Samsung 能够抢在主要竞争者台积电之前，宣布 GAA 技术商业化。不过，就目前台积电的计划来看，3nm 的真正量产商用 Samsung 不一定能赶在台积电前面。目前有消息称 Samsung 3nm GAA 工艺可能会拖到 2024 年量产，将会直接与台积电 2nm 竞争，那又是差一个级别。
2021-08-29 01:02:00
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