韩国科技大厂三星 20 日宣布，已经开始量产第二代的 1y 奈米制程的 DRAM 产品。三星表示，该项 DRAM 产品为 8Gb 的 DDR4 DRAM 第二代产品。相较于上一代产品来说，新的 8Gb DDR4 具有 8Gb DRAM 内存中最高的性能和耗能效率，另外还有更小的面积尺寸。
三星进一步指出，透过开发 DRAM 的电路设计和制程技术创新，三星已经突破了 DRAM 扩展性的主要障碍。透过第二代 1y 奈米制程生产的 DRAM 快速成长，三星将更加积极地扩展整体的 1y 奈米制程程的 DRAM 产品产能，以因应强劲的市场需求，并继续加强三星的业务竞争力。
据了解，三星的第二代 1y 奈米制程所生产的 8Gb DDR4，比第一代 1y 奈米制程的 8Gb DDR4 DRAM 在生产效率上提高了近 30%。此外，由于采用了先进的专有电路设计技术，新的 8Gb DDR4 的性能水准和功耗分别提高了约 10% 和 15%。另外，新的 8Gb DDR4 每个引脚可以以每秒 3,600 Mbps 的速度运行，比第一代 1y 奈米制程的 8Gb DDR4 DRAM 的 3,200 Mbps 速度，提升了超过 10%。
三星进一步表示，为了达成这些成绩，三星应用了新技术，包括了使用高灵敏度的细胞数据传感系统和渐进的 “空气间隔” 方案，但是并没有使用 EUV 技术。而在第二代 1y 奈米制程所生产的 8Gb DDR4 的每个单元中，新设计的数据感测系统可以更准确地确定每个单元中储存的数据，进而显著提高电路整合度和制造效率。
目前在全球 DRAM 三大厂中，包括三星及美光都在 2016 年陆续导入 10 奈米等级制程，而 SK 海力士则是到 2017 年中之后才开始逐步进入 10 奈米等级制程。不过，根据之前所传出的消息，三星与美光两家公司在导入 10 奈米等级制程的过程并不顺利，都先后出现过相关产品有瑕疵而召回的情况，而这也是自 2016 年中以来 DRAM 市场一直供不应求、价格节节攀升的原因之一。如今，在三星第二代 10 奈米等级制程的 DRAM 产品量产下，是否能逐步满足市场的需求，业界人士都在密切关注著。
(首图来源:三星官网)
