中国半导体大厂紫光集团传出将在今年打造 DRAM 新工厂、力拼 2022 年量产，期望借由增加中国境内自给的半导体种类，提高自给率、降低对海外的依赖。
紫光目前已量产 NAND 型闪存（Flash Memory），旗下长江存储（YMTC）今年 4 月宣布，成功研发出堆叠 128 层的 3D NAND Flash 产品。
日经新闻 27 日报导，据多位关系人士指出，紫光集团将在今年内着手兴建 DRAM 新工厂，目标在 2022 年开始量产。美中对立情势加剧下，紫光期望借由增加中国境内能够自给的半导体种类，减低对海外的依赖度。
据报导，紫光 DRAM 新厂将坐落于重庆市，原先计划 2019 年底动工，不过受武汉肺炎等因素影响延迟。目前因位于日本、从事 DRAM 设计业务的子公司正式营运，因此力拼今年内动工兴建，新厂产能规模等细节虽不明，不过据关系人士指出，紫光计划 10 年间对 DRAM 事业投资 8,000 亿人民币。
不过紫光 DRAM 新厂之后能否顺利量产，仍将受美中关系动向左右，主因生产具竞争力的 DRAM 产品就需要用到美国制生产设备，而美国禁止供应使用美国先进技术的产品给部分中国企业，因此若之后美中对立进一步加剧，恐将对紫光造成影响。
中国 2015 年发表高科技产业振兴对策“中国制造 2025”，将半导体定为重点产线，目标 2020 年将半导体自给率从当前的未满 20% 提高至 40%，2025 年进一步提高至 70%。
（本文由 MoneyDJ新闻 授权转载；首图来源：紫光集团）
