韩国第二大半导体厂 SK 海力士（SK hynix）29 日宣布，因应市场需求回升，该公司将扩充产能规模，新建的 M16 产线预计今年 6 月启动量产，以进一步扩大 DRAM 内存供应。
韩联社报导，SK 海力士今日表示，位于首尔南部利川市（Icheon）的 M16 厂，计划 2 月 1 日举行竣工仪式。SK 海力士于会议透露，利川 M16 厂将从今年开始进行试产，并视情况调整，预计 6 月就能完成试产，接着正式展开大规模量产。
SK 海力士为全球市占率第二高的 DRAM 制造商，仅次 DRAM 龙头三星电子（Samsung Electronics）。
2018 年 12 月，SK 海力士开始动工兴建 M16 晶圆厂，斥资高达 15 兆韩圜（约 134 亿美元，将采用极紫外光（EUV）微影技术，生产第四代 10 奈米级制程（1a 奈米）的 DRAM 产品。
SK 海力士称，已确保 EUV 的供应无虞，并正在与 EUV 制造商就 EUV 设备的长期供应进行密切讨论。根据规划，M16 厂的 EUV 设备初期将用于生产第四代 10 奈米级 DRAM，之后全面用于生产第五代 10 奈米级（1b 奈米）DRAM。
截至 2020 年，以第三代 10 奈米级（1z 奈米）和第二代 10 奈米级（1y 奈米）制程打造的 DRAM，约占 SK 海力士 DRAM 总产量的 40%，计划今年将比率提升到至少 75%，同时启动 1a 奈米制程，产能将比 1z 奈米制程高出 40%。
SK 海力士会议时表示，2020 年资本支出为 9.9 兆韩圜，低于 2019 年的 12.7 兆韩圜。SK 海力士未提到今年的资本支出目标，但表示跟去年相比，设备资本支出的增幅预料有限。
根据韩国产业通商资源部（Ministry of Trade, Industry and Energy）及韩国半导体业协会（Korea Semiconductor Industry Association）的报告，2021 年韩国芯片出口额预计将年增 10.2%，达到 1,093 亿美元，有望创历年来次佳表现，仅次 2018 年的 1,267 亿美元。
当地研究机构预测，2021 年韩国的内存芯片出口额可望年增约 12%，突破 700 亿美元大关，而系统芯片出口额将年增 7%，达到 310 亿美元以上。
（本文由 MoneyDJ新闻 授权转载；首图来源：SK 海力士）
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