之前，芯片大厂英特尔（Intel）在中国举行的“尖端制造大会”，正式展示了由最新 10 奈米制程技术生产的晶圆，并表示 10 奈米制程技术生产的 Cannon Lake 处理器将在 2017 年底前量产，使玩家都引颈期待。但现在有消息透露，首批进入市场的 Intel 10 奈米制程技术产品，不会是大家期待的 CPU，而是目前市场价格高涨的 NAND Flash 闪存。
根据业界人士透露，Intel 计划在自家最新 64 层 3D NAND Flash 闪存使用最新 10 奈米制程技术。至于，为何在 3D NAND Flash 先用新制程，很可能是因为 NAND Flash 的结构相对简单，基本上就是大量同类晶体管堆积，相较之下，CPU 处理器的架构就复杂多了。使用新制程技术生产，复杂性也是关系成功与否的重要风险之一，这也是 Intel 在 14 奈米制程、10 奈米制程屡屡延后推出的一项主要因素。
照 Intel 的说法，10 奈米制程技术使用 FinFET（鳍式场效应晶体管）、Hyper Scaling（超缩微）技术，可将晶体管密度提升 2.7 倍，结果自然可以大大缩小芯片面积，对 NAND Flash 闪存的设计来说，当然能大大提升容量。
不过，目前还不清楚 Intel 的 10 奈米制程 NAND Flash 具体生产情况为何，但可以确认，未来该批产品会首先用于资料中心市场，等成本下降后，再推广到消费等级市场。
（首图来源：Flickr/stargazer2020 CC BY 2.0）
