在先进制程的发展，台积电与三星一直有着激烈的竞争，虽然台积电已经宣布将在 2020 年正式量产 5 奈米制程，不过三星也不甘示弱，预计透过新技术的研发，在 2021 年推出 3 奈米制程的产品。根据三星表示，其将推出的 3 奈米制程产品将比当前的 7 奈米制程产品效能提升 35%，能耗也再降低 50%，且芯片的面积也再减少 45%。
根据外媒报导，三星 14 日于美国加州所举办的晶圆制造论坛（Samsung Foundry Forum）宣布，目前三星正在开发一项名为“环绕栅极”（gate all around，GAA）的技术，这个被称为当前 FinFET 技术进化版的生产技术，能够对芯片核心的晶体管进行重新设计和改造，使其更小更快。三星指出，预计 2021 年透过这项技术所推出的 3 奈米制程技术，将能使得三星在先进制程方面与台积电及英特尔进行抗衡，甚至超越。而且，能够解决芯片制造缩小过程中所带来的工程难题，以延续摩尔定律的持续发展。
而根据国际商业战略咨询公司（International Business Strategies）首席执行官 Handel Jones 表示，目前三星正透过强大的材料研究让晶圆制造技术获得发展。而在 GAA 的技术发展，三星大约领先台积电一年，英特尔封面则落后三星 2~3 年。三星也强调，GAA 技术的发展能够期待未来有更好的图形技术，人工智能及其他运算的进步，以确保未来包括智能手机、手表、汽车、以及智慧家庭产品都能够有更好的效能。
之前三星就宣布将在未来 10 年内投资1,160 亿美元（约新台币 3.5 兆元）发展非内存项目的半导体产业，以成为全球半导体产业霸主。透过 GAA 技术发展的 3 奈米制程技术就是其中重要的关键。三星希望借此吸引包括苹果、NVIDIA、高通、AMD 等目前台积电客户的青睐，以获取更多晶圆生产商机。
（首图来源：三星）
