日前韩国媒体 Digital daily 报导了三星电子（Samsung Electronics）在中国西安负责产制 3D NAND Flash 厂区，传出产线一度全面中断的消息，韩国媒体表示有多达 3 万片晶圆悉数报废，预估损失金额为 6,000 万美元。不过，根据科技新报（TechNews）从韩国方面获得的了解，三星 NAND 厂这件事情大约是发生在 2014 年 12 月份，并不是报纸刊登报导的 2015 年 1 月份，而且只有大约一千片晶圆损毁报废，并没有媒体传言的三万片那样多。
对现阶段 NAND 市场价格没有影响
三星方面目前认为这个事件并不严重，这个消息其实已经上个月的事情，加上 3D NAND 在 2014 年底的投片量本来就不多这项因素，因此对整体 NAND 市场的影响还算是小。该公司量产 3D NAND 闪存芯片的时程和进度依旧持续。以此晶圆厂良率事件来看，主要是材料方面造成的良率问题，和芯片设计没有直接的关系。
三星方面在 2014 年 12 月底到 2015 年 1 月的期间，已经将这个问题修复完毕，被影响的产能，最多大约有五千片左右，后续的生产都已经恢复正常。重点是对目前三星的 19 奈米、16 奈米制程的进展也不会有影响，三星方面仍旧是预定在 2015 年第一季达到每月有三万片上下的 3D NAND 芯片产能。
3D NAND 芯片是未来闪存要角
制作 3D NAND 芯片需要更先进的技术，这是为了要避免在 20 奈米以下，垂直结构状态中，每个单元的电子数量和资料储存、删除的行为，会变得比传统 NAND 芯片更不可预测，需要更好的控制才行。
另一方面，3D NAND 芯片在中国也有美国厂商 SPANSION 和武汉新芯在合作设厂中，而美国大厂美光（Micron）、日本大厂东芝（Toshiba）也积极在进军 3D NAND 芯片，究竟它可以用来做哪些应用呢？
目前最主要的是高阶的 SSD 固态硬盘，提供给云端运算、快速资料的商用储存需求之用，这种技术产制的闪存芯片，单颗就有 128 Gb 的容量，但成本比一般的 2D NAND 芯片要高出不少，良率也还在提升中。对于一般的随身碟、快闪记忆卡来说，还不会用到这种相对成本高的闪存芯片。不过，等过了两、三年后，3D NAND 芯片的使用率与产量，将有显著的提升，届时市场的风貌又会不太一样了。
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