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日经:联电转移 DRAM 研发部门员工,最终将停止 DRAM 研发计划

2024-11-25 203

根据《日本经济新闻》的报导,日前被美国司法部以商业间谍罪名起诉的台湾联电,以及中国的合作伙伴──福建晋华目前正在进行组织的重整与人员的变动动作。也就是在美国对福建晋华施行禁售令的情况下,联电除了日前宣布将停止与福建晋华在 DRAM 内存开发上的合作之外,还将公司内半数在 DRAM 内存部门的工作人员移往新的职位。对于联电的动作,消息人士表示,这是联电停止开发 DRAM 内存的第一步。

报导指出,目前联电在 DRAM 内存研发部门的工作人员约有 300 位。日前,联电已经向其中的 140 位员工告知,他们将会被转移到公司新的工作职位。而根据内部的知情人士透露,针对 DRAM 内存研发部门,目前联电并没有提出任何的裁员计划。只是,目前在该部门服务的相关员工已经在寻找其他工作。而这样的讯息透露出,联电目前的计划就是最终将停止 DRAM 内存研发。

报导进一步指出,尽管联电将 DRAM 的发展视为公司未来的主要成长项目,但是,在当前美中贸易冲突越演越烈的情况下,联电还是选择在这场美中的冲突中退出。一些联电的高层担心,一旦联电持续与中国的合作伙伴在 DRAM 内存上的紧密合作,除了将影响原本联电本身的晶圆代工生意之外,也因为晶圆代工的业务非常依赖与美国相关企业的合作,例如美商应材或是 Lam Research,因此最终可能为联电带来更大的麻烦。

不过,《日本经济新闻》也表示,目前对于退出 DRAM 内存的研发,联电部分也不愿意明确证实,原因就是担心激怒中国政府。所以,相关知情人士表示,这一次联电真的深陷两难之中。

福建晋华目前承担了中国最大的 DRAM 内存发展计划,不过,美国的 DRAM 内存大厂美光科技,在 2018 年 10 月份正式控告了该公司窃取相关的财产权。之后的 2018 年 11 月 1 日,包括台湾联电、福建晋华以及 3 名台籍员工则是被美国司法部指控进行商业间谍活动,并进行起诉,而美国政府随即对福建晋华实施了禁售令。一时间,所有的美国厂商支援人员全数撤出福建晋华厂区,之后联电也随之宣布停止与福建晋华有关的 DRAM 合作发展计划。而以上的动作,被外界视为美国政府遏制北京半导体技术发展,并打击中国侵占知识产权,和外商强制技术转让策略的一部分,也是全球两大大经济体之间贸易冲突的关键战场。

《日本经济新闻》还引用知情人士的消息指出,目前福建晋华仍有价值高达新台币 300 亿元的芯片生产设备仍留在联电的台南工厂内。而联电首席财务官发言人刘启东也指出,联电目前有超过 2 万名员工,即便内部员工有所变动,公司也不会公布有关员工内部变动的消息。至于,针对联电停止发展 DRAM 内存一事,刘启东则是拒绝评论,仅表示该项计划目前是暂停当中。

报导指出,如果联电真的放弃 DRAM 内存技术的开发,那将是中国自力半导体产业发展计划的另一项挫折。而目前已经投入约 56 亿美元的福建晋华,原本预计于 2018 年底投入 DRAM 内存的试产,这将象征着中国著首个 DRAM 内存自制的成功。如今因为美国在 2018 年 11 月的禁售令,使得整项工程完全停摆。

(首图来源:科技新报摄)

2019-03-11 18:30:00

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