由于中美贸易摩擦影响，中国两大 DRAM 厂发展脚步已明显放缓，根据 TrendForce 内存储存研究（DRAMeXchange）研究指出，做为 NAND Flash 发展主力的长江存储，今年底前将依照进程正式量产 64 层 Xtacking 3D NAND 产品，随着长江存储 2020 年产能逐步扩大，预计将对全球 NAND Flash 市场供给与价格带来冲击。
TrendForce 指出，长江存储已于第一季送交样品给部分客户及控制器厂商，初期着重中国国内市场销售。并且已完成武汉厂的建设，并有限度的投产 32 层产品，待 64 层正式量产后产能扩张将转趋积极。2020 年后产能规划将逐步放大，到该年底扩张达至少 60K/m 的投片量，尽管相对其他竞争者动辄 200K/m 以上的产能并不算大，预估仍会对 NAND Flash 市场价格产生一定冲击，导致跌价趋势持续。
TrendForce 分析认为，中国新开产能以达成自给的目标相当明确，而其他国际厂商亦各自有新厂得以因应 2020 年后的竞争，包含三星的西安二期、东芝的岩手县新厂、美光的新加坡三厂、SK Hynix M15 厂的剩余空间加上后续的 M16 厂房等，在各厂产能提升后，价格竞争恐将更为激烈。
为缩短与一线厂 1-2 年的技术差距 长江存储明年直攻 128 层产品
以主要 6 大供应商的发展状况来看，目前主流出货多在 64 / 72 层产品，并已量产 92 / 96 层的产品，目前正提供客户 UFS、SSD 等产品样品进行导入，然而新制程的扩产受到今年市况影响，供应商自去年年底以来逐步调降资本支出并减缓扩产时程，甚至有部分供应商决定减产，导致新制程比重成长较为缓慢。
反观长江存储发展规划，在推出 64 层产品后，相较于其他供应商先发展 9x 层的步调，长江存储将直攻 128 层以缩减与其他供应商的差距，主要供应商则规划在 2020 年量产 128 层产品。尽管长江存储在技术发展上仍与主要供应商有相当差距，但未来对市场的影响恐怕势难抵挡。
全球市场研究机构 TrendForce 将在 2019 年 5 月 31 日（五）COMPUTEX 期间，于台北国际会议中心举办“Compuforum 2019：资料经济大未来”研讨会。详情请见活动网站。
（首图来源：长江存储）
