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三星成立 NAND Flash 工作小组,优化 128 层与 160 层堆叠生产技术

2024-11-26 205


根据韩国媒体《sammobile》的报导,虽然目前因为全球内存市场在武汉肺炎疫情的冲击下,可能面临到下半年库存过剩的压力,但是韩国内存大厂三星仍无惧于市场上的状况,已经于日前成立了一个特别工作小组,而该工作小组最重要的工作界是进一步提高三星的生产技术,以提高其 NAND Flash 闪存的产能。

事实上,在当前武汉肺炎疫情的冲击之下,内存厂商对于扩产的状况变得保守,相对于投资大量成本来新建产线,借由技术的发展来提高 NAND Flash 的产能已经成为当前的主流。日前,三星在实现量产 128 层堆叠的的第 6 代 NAND Flash 闪存之后,又在两个月前宣布将完成 160 层堆叠第 7 代 NAND Flash 闪存的开发,这使得目前的三星看来已经将对手远远抛在身后。

报导指出,由于 NAND Flash 闪存目前堆叠的层数越高,储存容量就越大。目前,内存芯片使用的层数最高为 128 层,但三星有望在不久后完成 160 层或更高堆叠的内存开发和生产。这使得其在不增加新产线的情况下,三星也能进一步提升 NAND Flash 闪存的容量供应,满足市场的需求。

有鉴于此,为了提高在 128 层堆叠 V-NAND Flash 闪存生产上的竞争力,三星成立了一个特别工作组,成员包括三星设备解决方案(SDS)制造技术中心,以及负责 NAND Flash 闪存生产的部门的高阶主管。新团队将解决芯片生产过程中出现的任何问题,并负责监督提高整个流程的生产率。报导进一步说到,三星在赢得了 128 层 NAND Flash 闪存的市场竞争后并没有得到满足,该公司希望进一步提高与竞争对手的差距,进一步将技术转移到 160 层堆得的技术上,已持续保持在市场上的竞争优势。

(首图来源:三星)

2020-06-19 00:09:00

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