韩国媒体 Korea Herald 周二报导，有鉴于全球半导体市况不佳，三星为避免内存价格快速滑落，正考虑放慢明年内存增产速度。
消息人士透露，三星装置解决方案部门上周举行半年度策略会议，由副董座金奇南（Kim Ki-nam）亲自主持，讨论明年内存预期供过于求的因应之道，会中谈到可能调整 DRAM 与 NAND 闪存增产步速。
据报导，三星计划将明年 DRAM 位元成长率（Bit growth）降低至两成以下，NAND 闪存则是压在三成以下。对照三星上个月公布第三季财报时，DRAM 位元成长率预估年增 20%，NAND 闪存预估年增 40% 左右。（ibtimes.com）
位元成长率以位元容量估计芯片供给增加的量，用以协助芯片厂估计产能。在位元成长率较低的状况下，三星在增产方面的投资也会转趋保守。
Borneobulletin.com 报导，由于全球半导体景气展望负面，三星已调降第四季财测，明年展望也蒙上阴影。分析师预期 2019 上半年内存需求下滑，价格将走跌，直到下半年才可能回稳。
据韩国券商估计，三星第四季营业利润将下滑至 13 兆韩圜，对照第三季的 17.57 兆韩圜，季减 26%。
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