根据市场研究及调查机构 TrendForce 旗下半导体研究处的最新研究调查报告数据显示，近期因为包括中国 DRAM 厂商在测试上遭遇技术瓶颈、现货市场与合约市场约有 20% 的价格落差、以及中国华为在受到美国制裁令影响，目前在市场上大量扫货的情况下，使得近期 DRAM 市场在低迷了一段长时间之后，又有价格上涨的趋势。
报告指出，包括中国 DRAM 厂商在测试上遭遇技术瓶颈、现货市场与合约市场约有 20% 的价格落差、以及中国华为在受到美国制裁令影响，目前在市场上大量扫货的情况中，以华为扫货的因素影响近期 DRAM 价格的情况最为明显。而且，华为的扫货动作还间接影响了许多中国的设备制造商开始进行增加库存的情况，由于现货价格对市场需求变化较合约价格更为敏感的情况下，这也连带增加了近期 DRAM 价格的变化。
报告进一步指出，在华为的大量扫货情况下，市场中特殊规格用于 5G 基础建设中，包括网通设备及终端产品上的 DRAM 需求，相较于搭载在行动装置或服务器上的 DARM，其情况最为明显。至于，搭载在行动装置或服务器上的 DARM 也因为美国针对华为的禁令而出现新的市场需求。但相较来说，这些新的需求仍不足以扭转当前在这两个市场领域供过于求的状况。因此，报告中虽仍维持搭载在行动装置或服务器上 DARM 在第 3 及第 4 季的价格下跌的预估，但是在特殊规格网通设备及终端产品上使用 DRAM，2020 年第 4 季价格预估，则将从原本的下滑 10%，上调为持平到下跌 5%。
除了 DRAM 之外，TrendForce 在报告中也对 NAND Flash 闪存的价格趋势进行分析，表示在当前市场价格仍然疲弱，而且在供应商竞争日缺激烈的情况下，短时间仍无法看到价格明显反弹的迹象。
(首图来源:sk hynix)
